[实用新型]一种改良型芯片顶针结构有效
| 申请号： | 201721029103.6 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN207052587U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 骆宗友;刘忠玉 | 申请（专利权）人： | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)44400 | 代理人： | 何新华 |
| 地址： | 523808 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改良 芯片 顶针 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种改良型芯片顶针结构，包括真空顶帽(10)，所述真空顶帽(10)内包括真空内腔(14)、气孔(13)，所述真空内腔(14)通过接管(16)与真空发生器(17)连接，其特征在于：所述真空内腔(14)内设置有与外部相通的顶针通道(12)，所述顶针通道(12)内设置有柱状的顶针(11)，所述顶针(11)的底部与升降动力机构(15)连接，所述顶针(11)的顶部设置为球形。
2.根据权利要求1所述的一种改良型芯片顶针结构，其特征在于：所述顶针(11)底部的横截面直径设置为0.25mm-0.45mm。
3.根据权利要求1所述的一种改良型芯片顶针结构，其特征在于：所述顶针(11)设置为铝合金顶针。
4.根据权利要求1所述的一种改良型芯片顶针结构，其特征在于：所述顶针(11)顶部的直径设置为0.25mm-0.55mm。
5.根据权利要求1所述的一种改良型芯片顶针结构，其特征在于：所述顶针(11)处于顶起状态时，所述顶针(11)的顶部伸出所述真空顶帽(10)上表面的长度为0.7mm-1.0mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
