[实用新型]一种冷却盘组件有效
申请号: | 201721039375.4 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN207338314U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 崔咏琴 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/673 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冷却 组件 | ||
1.一种冷却盘组件,其包括冷却盘和冷却盘底板,所述冷却盘与所述冷却盘底板相对扣合固定;所述冷却盘的与所述冷却盘底板相对的第一面设有冷却剂凹槽和第一密封沟槽,所述冷却盘底板的与所述冷却盘相对的第一面设有第二密封沟槽;其特征在于,所述冷却盘和所述冷却盘底板之间还设置有密封垫,所述密封垫将所述冷却剂凹槽、所述第一密封沟槽和所述第二密封沟槽均覆盖,用于防止所述冷却剂凹槽内的冷却剂漏出。
2.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述冷却盘的用于放置晶片的第二面设有辅助冷却凹槽,所述辅助冷却凹槽从所述冷却盘的中心向所述冷却盘的边缘呈辐射状均匀分布。
3.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述第一密封沟槽为环形且分布在所述冷却盘的边缘,所述冷却剂凹槽在所述第一密封沟槽围成的整个区域内盘绕设置;所述第二密封沟槽为环形且分布在所述冷却盘底板的边缘。
4.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述第一密封沟槽和所述第二密封沟槽的纵截面均为三角形。
5.根据权利要求4所述的冷却盘组件,其特征在于,所述第一密封沟槽和所述第二密封沟槽的位置相互错开设置。
6.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述冷却盘底板的第一面设有凹部,用于定位所述密封垫,所述凹部的面积与所述密封垫的面积相适应。
7.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述冷却剂凹槽的纵截面为矩形,且所述冷却剂凹槽的横向宽度与纵向深度的比值大于1。
8.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述冷却盘和所述冷却盘底板均为圆盘状,并通过沿着圆周分布的多个螺栓相对扣合固定;所述螺栓均位于所述第一密封沟槽和所述第二密封沟槽的外侧。
9.根据权利要求1所述的冷却盘组件,其特征在于,所述密封垫为圆形,其材料为PTFE。
10.根据权利要求3所述的冷却盘组件,其特征在于,所述冷却剂凹槽内充满流动的冷却剂后,冷却剂与所述冷却盘的接触面积占所述冷却盘面积的59.5%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造