[实用新型]一种AlN外延层以及AlGaN光电器件有效
| 申请号： | 201721046000.0 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN207818524U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 何晨光;赵维;吴华龙;张康;贺龙飞;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/02;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 钱学宇 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 光电器件 成核层 外延层 位错 表面缺陷 快速沉积 缺陷修复 隔绝层 半导体外延 外延层表面 表面平整 表面迁移 蓝宝石 点缺陷 生长 衬底 平整 迁移 释放 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlN外延层，其特征在于，依次包括：
蓝宝石衬底；
N极性隔绝层，所述N极性隔绝层的厚度为1～5nm，其有机铝的量相对富裕，具有Al极性的单一性；
成核层，所述成核层的厚度为20～50nm，其表面质量好；
缺陷修复层，所述缺陷修复层的厚度为100～800nm，其表面具有岛状模式生长的AlN；
以及快速沉积层，所述快速沉积层的厚度为大于等于1000nm。
2.一种AlGaN光电器件，其特征在于，包括如权利要求1所述的AlN外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
