[实用新型]一种硅片置中装置

说明书

本实用新型公开了一种硅片置中装置，包括：初次定位机构；二次定位机构；以及沿直线方向单向传送的传送机构，其设于二次定位机构当中，其中，初次定位机构设于传送机构的上游，二次定位机构包括左定位导轨及右定位导轨，左定位导轨与右定位导轨平行且间隔设置以形成位于两者之间的二次定位通道，传送机构设于所述二次定位通道之中。根据本实用新型，其在提高硅片水平度及置中度的精度同时，还能够提高定位置中的效率，从而进一步提高了硅片的处理工艺质量。

技术领域

本实用新型涉及机械领域，特别涉及一种硅片置中装置。

背景技术

一般来讲，太阳能电池硅片工艺处理步骤包括以下个步骤：1、制绒，将硅片表面腐蚀成金字塔状的形貌；2、扩散，硅片表面形成PN结；3、刻蚀，将硅片边缘的PN结去掉，防止电池短路；4、去PSG，清洗硅片表面，去除二氧化硅层；5、PECVD，在硅片表面镀一层减反射膜；6、印刷烧结，印刷电极及背场，并烘干烧结。在上述工艺处理步骤中，需要对硅片多次转移，而在转移过程中就需要对硅片的空间位置进行定位，保证其置中度及水平度，从而提高硅片的处理质量，在现有技术中对硅片的置中定位需要人工辅助的步骤较多，导致自动化程度低、置中定位效率低下，同时现有技术中多采用一次置中定位的方式，导致置中定位精度低。有鉴于此，实有必要开发一种硅片置中装置，用以解决上述问题。

实用新型内容

针对现有技术中存在的不足之处，本实用新型的目的是提供一种硅片置中装置，其在提高硅片水平度及置中度的精度同时，还能够提高定位置中的效率，从而进一步提高了硅片的处理工艺质量。

为了实现根据本实用新型的上述目的和其他优点，提供了一种硅片置中装置，包括：

初次定位机构；

二次定位机构；以及

沿直线方向单向传送的传送机构，其设于二次定位机构当中，

其中，初次定位机构设于传送机构的上游，二次定位机构包括左定位导轨及右定位导轨，左定位导轨与右定位导轨平行且间隔设置以形成位于两者之间的二次定位通道，传送机构设于所述二次定位通道之中。

优选的是，左定位导轨及右定位导轨被至少一组升降夹紧组件所支撑，左定位导轨及右定位导轨可在升降夹紧组件的驱动下在竖直平面内同步升降以及在水平面内相互靠近或远离。

优选的是，左定位导轨及右定位导轨上分别等间距地设有若干个左定位块及右定位块，左定位块与右定位块两两相对设置，相邻两块左定位块及与其相对的两块右定位块共同形成用于加紧定位硅片的定位空间。

优选的是，左定位块及右定位块上相对于硅片一侧分别开设有左定位槽及右定位槽，左侧的两个左定位槽分别与硅片左侧的两个角相对应，右侧的两个右定位槽分别与硅片右侧的两个角相对应。

优选的是，左定位槽上与硅片一角相接触的两侧壁处分别设有左侧第一引导斜面及左侧第二引导斜面，左侧第一引导斜面及左侧第二引导斜面使得左定位槽上方的开口从上至下呈逐渐缩小之势。

优选的是，右定位槽上与硅片一角相接触的两侧壁处分别设有右侧第一引导斜面及右侧第二引导斜面，右侧第一引导斜面及右侧第二引导斜面使得右定位槽上方的开口从上至下呈逐渐缩小之势。

优选的是，初次定位机构包括：

固定底座；

设于固定底座上的驱动组件；以及

设于固定底座上的左右限位组件，

其中，左右限位组件包括滑动配接于固定底座上的左限位板及右限位板，左限位板与右限位板平行且间隔设置以形成位于两者之间的定位通道，左限位板与右限位板在驱动组件的驱动下选择性地相互靠近或远离。

优选的是，驱动组件包括：