[实用新型]一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器有效
| 申请号： | 201721050852.7 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN207572377U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;倪炜江;黄兴;杨永江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/115 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移 雪崩 探测器 周向设置 环结构 减小 倍增 载流子 宽禁带半导体材料 本实用新型 光探测区域 背面电极 从上至下 量子效率 器件单元 区域比较 缺陷位置 收集区域 雪崩电压 雪崩区域 中心设置 暗电流 高场区 接地环 容忍度 雪崩区 电极 光子 衬底 高场 击穿 结区 晶片 耗尽 外围 复合 激发 申请 制作 保证 | ||
1.一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括SiO2层、P-well或N-well、衬底和背面电极；其中，所述SiO2层的中心设置有CE电极，SiO2层下方的所述P-well或N-well内沿P-well或N-well的周向设置有若干个漂移环；SiO2层的外围周向设置有接地环GND。
2.根据权利要求1所述的多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述CE电极由P+N或N+P构成的点状雪崩二极管结构构成。
3.根据权利要求1所述的多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述探测器宽禁带半导体材料制成，所述宽禁带半导体材料的厚度为0.05毫米－0.5毫米。
4.根据权利要求3所述的多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述探测器由N型或P型碳化硅单晶片制成。
5.根据权利要求1所述的多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述P-well或N-well由离子注入或外延工艺制成，深度为0.1微米－10微米。
6.根据权利要求1所述的多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述CE电极由金属电极或透明导电膜制成。
7.根据权利要求6所述的多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，其特征在于，所述透明导电膜为氧化铟锡膜，其厚度为10纳米－10微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
