[实用新型]一种无引脚功率半导体封装结构

权利要求书

1.一种无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，包括功率芯片、金属引脚、布线层、散热层和封装材料层，所述功率芯片和所述金属引脚固定在所述布线层的同一侧上，所述散热层设置在所述布线层远离所述功率芯片的一侧，所述封装材料层设置于所述布线层远离所述散热层的一侧，将所述功率芯片、所述金属引脚和所述布线层封装在内，并使所述金属引脚的上表面裸露于所述封装材料层外。

2.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述散热层的覆盖面积大小与所述封装材料层的覆盖面积大小相适配。

3.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述散热层包括多个第一导热块和第二导热块，所述第一导热块对应所述功率芯片设置。

4.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述散热层与所述布线层间设置有用于绝缘的绝缘层。

5.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述散热层的各表面均覆盖有绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述功率芯片通过金属导线与所述金属引脚或所述金属引脚所在的所述布线层相连接。

7.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述金属引脚包括第一部、第二部和第三部，所述第一部的上表面裸露在所述封装材料层外，所述第三部固定设置于所述布线层上，所述第二部用于连接所述第一部和所述第二部。

8.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述散热层远离所述功率芯片的一面设置有多个用于增大与空气的接触面积的凹槽。

9.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述散热层采用金属材料或石墨烯材料制成。

10.根据权利要求1所述的无引脚功率半导体封装结构，其特征在于，所述封装材料层采用环氧树脂。