[实用新型]一种ITO结构有效
| 申请号： | 201721052363.5 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN207097852U | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴琼;唐进强 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01B5/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ito 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种ITO结构，其特征在于，包括设置在P面(4)的ITO膜(1)，所述ITO膜(1)包括依次附着在所述P面(4)的第一薄膜(13)、第二薄膜(12)、第三薄膜(11)、以及保护膜(2)，所述第一薄膜(13)、所述第二薄膜(12)、以及所述第三薄膜(11)的透光率依次增大；
还包括沿垂直所述P面(4)的方向贯穿所述第一薄膜(13)、所述第二薄膜(12)、所述第三薄膜(11)、以及所述保护膜(2)的通孔(3)。
2.根据权利要求1所述的ITO结构，其特征在于，所述通孔(3)为圆孔，并且直径为5μm。
3.根据权利要求1所述的ITO结构，其特征在于，所述通孔(3)不规则地排列，并列任意两个相邻的所述通孔(3)的间距不小于5μm。
4.根据权利要求1所述的ITO结构，其特征在于，所述第一薄膜(13)、所述第二薄膜(12)、以及所述第三薄膜(11)的透光率不小于85％。
5.根据权利要求1所述的ITO结构，其特征在于，所述第一薄膜(13)、所述第二薄膜(12)、以及所述第三薄膜(11)为透光率依次增大的铟锡氧化物薄膜。
6.根据权利要求5所述的ITO结构，其特征在于，所述第一薄膜(13)的厚度小于所述第二薄膜(12)，所述第二薄膜(12)的厚度小于所述第三薄膜(11)。
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