[实用新型]具有零件磨损指示器的腔室部件和等离子体处理腔室有效
申请号: | 201721053566.6 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN207676882U | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 麦特斯·拉尔森;凯文·A·派克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 零件磨损 腔室部件 指示器 等离子体处理腔室 第一层 顶表面 本实用新型 指示器材料 示踪材料 透明的 | ||
1.一种具有零件磨损指示器的腔室部件,其特征在于,所述腔室部件包括:
部件主体,具有顶表面和底表面;以及
零件磨损指示器,具有设置在所述部件主体中的指示器主体,所述指示器主体包括:
透明的第一层;以及
第二层,包括示踪材料,其中所述第一层比所述第二层更靠近所述顶表面。
2.如权利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示踪材料可由电磁能量激发,并且在取决于所述示踪材料的组合物的频率下辐射能量。
3.如权利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示踪材料与环氧树脂混合。
4.如权利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示踪材料包括:
与环氧树脂混合的磷光体。
5.如权利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示踪材料包括:
上转换材料。
6.如权利要求5所述的腔室部件,其特征在于,所述上转换材料是从由NaY1.54Yb0.40Er0.06F5O、NaY0.77Yb0.20Er0.03F4和NaY0.77Yb0.20Tm0.03F4组成的组中选择的一或多种材料。
7.如权利要求6所述的腔室部件,其特征在于,所述上转换材料的制剂被混合以形成唯一可识别的发射波长。
8.如权利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述零件磨损指示器为材料的环形层或材料的分立插件。
9.如权利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述部件主体形成环、衬里、喷头、ESC或气体分配板。
10.一种等离子体处理腔室,其特征在于,所述等离子体处理腔室包括:
腔室主体,具有内部空间;
基板支撑件,设置在所述内部空间中;
能量源;
传感器;
第一腔室部件,设置在所述腔室主体的所述内部空间中,所述第一腔室部件包括:
部件主体,具有顶表面和底表面;以及
零件磨损指示器,具有设置在所述部件主体中的指示器主体,所述指示器主体包括:
透明的第一层;以及
第二层,包括示踪材料,其中所述第一层比所述第二层更靠近所述顶表面,所述示踪材料当由来自所述能量源的能量激发时辐射可由所述传感器检测的能量。
11.如权利要求10所述的等离子体处理腔室,其特征在于,所述等离子体处理腔室进一步包括:
第二腔室部件,具有第二零件磨损指示器。
12.如权利要求11所述的等离子体处理腔室,其特征在于,设置在所述第一腔室部件中的所述示踪材料在与设置在所述第二腔室部件中的示踪材料不同的频率下辐射能量。
13.如权利要求10所述的等离子体处理腔室,其特征在于,所述示踪材料包括:
磷光体。
14.如权利要求10所述的等离子体处理腔室,其特征在于,所述示踪材料包括:
上转换材料。
15.如权利要求14所述的等离子体处理腔室,其特征在于,所述上转换材料是从由NaY1.154Yb0.40Er0.06F5O、NaY0.77Yb0.20Er0.03F4和NaY0.77Yb0.20Tm0.03F4组成的组中选择的一或多种材料。
16.如权利要求14所述的等离子体处理腔室,其特征在于,所述第一腔室部件为环、衬里、喷头、ESC或气体分配板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造