[实用新型]一种晶圆承载装置

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆承载装置。

背景技术

晶圆激光切割设备是一种用于玻璃钝化二极管、可控硅半导体晶圆的专用激光切割设备。晶圆切割是半导体晶圆制造工艺当中的一个不可或缺的工序。在晶圆生产中，需要将在一片晶圆同时制作几千个芯片，沿切割道，通过激光切割成单一的芯片。很多二极管、可控硅晶圆制造厂存在着晶圆背面无定位切割线，而需要从正面定位，背面对应切割的需求，此时需要将晶圆正面图形朝下，吸附在切割盘上，使用相机从底部向上，对晶圆进行定位后，从上向下发射激光进行背面切割，传统的晶圆底部摄像定位切割设备所采用的晶圆承载装置是上、中、下三层机构。上层为透明玻璃材质，玻璃上分布有通孔，通孔与中层腔体连通，四周支撑体与下层透明密封玻璃构成了一个封闭的真空气道体，进行吸片。此种结构的吸片腔体需要摄像机拍摄图像的光路通过底层玻璃，再经过中间真空气道体，最后透过上层玻璃后，进行拍摄。由于中间层保持负压，在实际使用过程中，将晶圆切割的粉尘吸入中间腔体，并由于重力的作用，灰尘沉降，覆盖于整个下层玻璃表面，将摄像机摄像光路遮挡，造成摄像机拍摄视野模糊，对相机定位造成了一定影响，需要定期拆卸腔体进行清理。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种晶圆承载装置，具有不影响相机光路，无需频繁拆卸清洗的优点，本实用新型通过如下方式解决上述技术问题：一种晶圆承载装置，包括透明的真空吸盘、位于真空吸盘下方的相机以及真空吸盘内的真空吸附结构，其特征在于：所述真空吸附结构包括设于真空吸盘表面上的至少一个吸附凹槽，所述吸附凹槽内均设有通孔，所述真空吸盘侧面设有与多个通孔相连通的真空气道。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述吸附凹槽为圆形且以同心方式排布，该排布方式具有对晶圆具有较佳的吸附作用且加工较为容易。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述真空气道为管状，采用该管状结构具有对相机光路遮挡少的优点。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述真空气道为横置圆柱体状，圆柱体具有流量大且加工较为容易的优点。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述真空气道径向延伸至位于真空吸盘中央的吸附凹槽处。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述多个通孔的连线位于同一直线上。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述通孔直径小于吸附凹槽的宽度。

作为本实用新型的一种优先实施方案，所述吸附凹槽宽度为1mm-2mm，深度为1mm-2mm。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述真空吸盘为圆形，且采用石英材质或玻璃材质。

作为本实用新型的一种优选实施方案，所述真空气道与外部抽真空装置连接。

采用该晶圆承载装置时，使用外部抽真空装置抽气使吸附凹槽内形成负压，从而将晶圆吸附在真空吸盘上，切割时产生的粉末由于负压作用吸附与吸附凹槽与真空气道内，由于真空气道和吸附凹槽仅占真空吸盘面积的极小一部分，具有成像光路遮挡少利于相机定位的优点，另外由于真空气道和吸附凹槽占有体积小，另外还具有无需频繁拆卸清理的优点。

附图说明

图1为本实用新型的正面的俯视图；

图2为本实用新型真空气道处的剖视图。

其中：100-吸附凹槽、101-真空吸盘、102-通孔、103-真空气道。

具体实施方式

下面为较佳实施例，并结合附图来更清楚完整地说明本实用新型：

如图1和图2所示，一种晶圆承载装置，包括一个玻璃材质的圆形真空吸盘101、位于真空吸盘101下方的相机以及位于真空吸盘101上的真空吸附结构，该真空吸附结构包括均匀布置于真空吸盘101上表面的多个同心排布的圆形吸附凹槽100，该吸附凹槽100的深度与宽度均为2mm，还包括从该圆形真空吸盘101径向方向延伸至真空吸盘101的中央吸附凹槽100处的管状真空气道103，在本实施方式中该真空气道103为圆柱体状，其中，每条吸附凹槽100上均设有一个与该真空气道103相连的通孔102，该通孔102均位于同一直线上且该通孔102直径小于吸附凹槽100的宽度，该真空气道103与外部抽真空管路相连。

该晶圆承载装置使用时，晶圆放置于真空吸盘101表面，使用外部抽真空管路对真空气道103进行抽气，通过与真空气道103相连的通孔102吸走吸附凹槽100内的空气从而产生负压，将晶圆吸附在真空吸盘101表面上，切割灰尘沉降时，灰尘被吸附凹槽100内的负压所吸附从而集中沉降于吸附凹槽100内和与吸附凹槽100所连通的真空气道103体中，其灰尘沉降面积只占真空吸盘101表面的很小一部分，几乎不影响位于真空吸盘101下方相机的成像光路，提高了拍摄清晰度，另外由于真空气道103所占体积较小，因而无需频繁拆卸和清理，达到了降低劳动强度，提高生产效率的优点。