[实用新型]一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构有效
| 申请号： | 201721064319.6 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN207572358U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元胞结构 散热层 石墨烯 掩埋 导通电阻 纵向沟道 阈值电压 栅槽 非掺杂GaN层 本实用新型 电子阻挡层 功率器件 降低器件 器件元胞 栅极结构 栅介质层 成核层 隔离层 侧壁 衬底 制备 延伸 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构，其特征在于，所述元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层，GaN缓冲层，n型重掺杂GaN层，n型GaN层，p型GaN电子阻挡层、非掺杂GaN层以及AlGaN势垒层；元胞结构的栅槽孔由元胞结构的顶部一直延伸至所述n型GaN层，所述栅槽孔的侧壁及底部均设置有栅介质层。
2.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构，其特征在于，所述石墨烯掩埋散热层通过金属与元胞结构的背板和热沉连接。
3.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构，其特征在于，所述衬底由Si、SiC、AlN或者蓝宝石中的任一种材料制成。
4.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构，其特征在于，所述AlN隔离层的厚度为1-100纳米。
5.根据权利要求1所述的石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET的元胞结构，其特征在于，所述石墨烯掩埋散热层的厚度为1-100纳米。
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