[实用新型]一种显示面板有效
申请号: | 201721066893.5 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN207068857U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 李晓虎;孙中元 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种显示面板。
背景技术
在OLED的制造过程中,为了形成规模化的批量生产,会在大片的母板玻璃上形成许多显示面板,然后再对母板进行切割,将母板切割分断成多个显示面板,这种切割为全切割;将显示面板的显示区与边框区分割,从而在边框区进行布线,此时需要将边框区的部分结构层进行切割分离,但是边框区下层的导电金属层、基底等无需切割,这种切割为半切割。
现有的柔性OLED器件需要将柔性显示基板上的用于连接电路芯片的连接区域上的膜层移除,以完成柔性显示基板与电路芯片的连接,通常这种移除工艺通过激光半切割工艺实现。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:采用激光用于柔性OLED器件半切工艺时,在切割过程中很容易造成暂离膜下面导电金属层或封装层的损伤。
实用新型内容
本实用新型针对现有的激光半切柔性OLED器件时,容易造成暂离膜下面导电金属层损伤的问题,提供一种OLED显示面板及其制备方法。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是:
一种OLED显示面板的制备方法,包括以下步骤:
在衬底基板上形成驱动电路功能层;
在所述驱动电路功能层上方形成多个结构层;
在衬底基板上方对应显示面板的半切割区的位置处形成半切割保护条,用于在进行半切割时保护所述半切割保护条下方的驱动电路功能层或者所述结构层;
形成待切割层,对所述待切割层进行切割。
其中,本实用新型中“下方”是相较于激光切割的相对的方向,并非仅仅是绝对的方向。其包括激光切割的正下方,也包括激光切割的斜下方。
优选的是,对所述待切割层进行切割包括采用激光进行切割。
优选的是,所述待切割层包括暂离膜、偏光片层、触摸屏中的任意一种或几种。
优选的是,所述形成半切割保护条包括在驱动电路功能层上方所述结构层边缘的位置处形成半切割保护条。
优选的是,所述多个结构层包括发光功能层和位于所述发光功能层上方的封装层,所述形成半切割保护条还包括在所述封装层上形成半切割保护条。
优选的是,所述半切割保护条包括导热材料。
优选的是,所述导热材料包括石墨。
优选的是,所述半切割保护条还包括绝缘胶,所述形成半切割保护条是采用绝缘胶将所述石墨粘贴至所述驱动电路功能层或者所述结构层上。
优选的是,所述形成半切割保护条包括采用石墨印刷的方法形成。
优选的是,在垂直于所述显示面板的方向上,所述半切割保护条的尺寸为10μm~100μm。
优选的是,所述半切割保护条的宽度为0.1mm-2mm。
优选的是,所述显示面板包括显示区和边框区,所述半切割区设于所述边框区靠近所述显示区的位置处。
优选的是,所述显示面板包括OLED显示面板。
本实用新型还提供一种显示面板,包括阵列基板和位于所述阵列基板上方的多个结构层,在所述阵列基板上方的半切割区设有半切割保护条,用于在进行半切割时保护所述半切割保护条下方的驱动电路功能层或者所述结构层。
优选的是,所述半切割保护条设于所述驱动电路功能层上方所述结构层边缘的位置处。
优选的是,所述结构层包括发光功能层和位于所述发光功能层上方的封装层,所述半切割保护条设于所述封装层上。
本实用新型的显示面板是在半切割区下方加入了半切割保护条,使得激光切割半切割线时,无法将热量传导至下层驱动电路功能层或者所述结构层,进而较好的避免了下层驱动电路功能层或者所述结构层的损伤,从而提高了生产良率。解决了激光切割半切割线不良造成无法绑定或者损伤下层金属的技术问题。本实用新型的显示面板适用于各种显示装置。
附图说明
图1-3为本实用新型的实施例1的显示面板的结构示意图;
图4为本实用新型的实施例2的OLED显示面板的制备方法流程图;
图5-7为本实用新型的实施例3的方法制备的OLED显示面板的结构示意图;
其中,附图标记为:1、衬底基板;11、柔性基底;12、玻璃;2、结构层;21、发光功能层;22、封装层;23、第一无机层;24、有机树脂层;25、第二无机层;3、驱动电路功能层;4、暂离膜;5、半切割保护条;51、石墨;52、绝缘胶。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的