[实用新型]一种可调压直流电源电路有效
申请号: | 201721083385.8 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN207283886U | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 俞国平;汪亮亮;汤超;周金峰 | 申请(专利权)人: | 安徽光达电子科技有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所34105 | 代理人: | 范智强 |
地址: | 244000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调压 直流电源 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及直流电源领域,尤其涉及一种在非隔离状态下为信号灯、补光灯供电的可调压直流电源电路。
背景技术
电源电路广泛地应用于电子设备之中,为设备的各个功能模块提供电源电压。目前市场上的各种信号灯,补光灯大多采用的是开关电源模式供电,开关电源电路相对复杂,成本高,稳定性、可靠性,良莠不齐。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决现有技术的不足,提供一种1kW以下,无极调压的非隔离直流电源。
本实用新型采用的技术方案是:一种可调压直流电源电路,包括IGBT驱动隔离光耦U1和IGBT功率管Q1,所述IGBT功率管Q1的栅极G接入IGBT驱动隔离光耦U1的输出端,所述IGBT功率管Q1的漏极D串联限流电阻R3和倍压电路,所述IGBT功率管Q1的源极S连接储能电容C3;所述倍压电路包括交流电源,所述交流电源并联两个由串联的倍压二极管和倍压电容组成的电路;所述储能电容C3并联一个由串联的分压电阻R7和电位器R2组成的电路,所述分压电阻R7和电位器R2之间输出电压反馈。
作为本实用新型的进一步改进,倍压二极管D1、D2串联公共端接交流电源L,倍压电容C1、C2串联公共端接交流电源N。
作为本实用新型的更进一步改进,所述倍压二极管D1负端接倍压电容C1正端,并和限流电阻R3相连;所述倍压二极管D2正端接倍压电容C2负端并接地。
本实用新型采用的有益效果是:本结构的电源电路在非隔离状态下,实现电压可调,给直流负载设备供电。本实用新型结构简单,可靠性高,广泛应用在1kw以下设备中,节约大量成本。
附图说明
图1为本实用新型电路原理图。
图中所示:1 IGBT驱动光耦,2 倍压二极管,3 倍压电容,4 限流电阻,5 IGBT功率管,6 电位器,7 分压电阻,8 储能电容。
具体实施方式
下面结合图1,对本实用新型做进一步的说明。
如图1所示,一种可调压直流电源电路,包括IGBT驱动隔离光耦U1和IGBT功率管Q1,所述IGBT功率管Q1的栅极G接入IGBT驱动隔离光耦U1的输出端,所述IGBT功率管Q1的漏极D串联限流电阻R3和倍压电路,所述IGBT功率管Q1的源极S连接储能电容C3;所述倍压电路包括交流电源,所述交流电源并联两个由串联的倍压二极管和倍压电容组成的电路;所述储能电容C3并联一个由串联的分压电阻R7和电位器R2组成的电路,所述分压电阻R7和电位器R2之间输出电压反馈。
实施例1,两只倍压二极管D1、D2串联公共端接交流电L,两只倍压电容C1、C2串联公共端接电源N,D1负端接C1正端,同时和电阻R3连接。D2正端接C2负端,接电源输出的地。形成的倍压经过限流电阻R3接到IGBT功率管Q1的漏极,IGBT驱动光耦U1的输出端接Q1栅极,Q1源极接储能电容C3正端和分压电阻R1,电位器R2与R1串联,电位器公共端与另短接到地。交流电源输入经倍压二极管,倍压电容串并,输出直流压2×1.414×Vac(当市电为220V时,2×1.414×220=622伏);该电压通过一个限流电阻被加载到NPN型IGBT的漏极D,IGBT的栅极G接IGBT驱动光耦输出端,光耦本身工作电源需外加辅助电源。光耦的控制端接输入信号,以便控制IGBT开关,IGBT源极S接储能电容,储能电容大小计算根据公式除以2为负载功率,同时在电容上串并一分压电阻,一个电位器,电位器与分压电阻之间点为输出反馈电压。当反馈电压低于某个设定值时,系统通过IGBT驱动光耦,控制IBGT开关打开,给储能电容充电,这时反馈电压在增大,当达到设置的上限值时,系统关闭IGBT断开充电。当负载消耗一定电能反馈电压下降,又启动新的充电过程。如果调节电位器,就可以调节输出电压工作点。需要注意的是本电路不具有隔离功能,实施绝缘,防止触电。实现功能尚需附加响应反馈信号,和控制光耦的信号。
本结构的电源电路在非隔离状态下,实现电压可调,给直流负载设备供电。本实用新型结构简单,可靠性高,广泛应用在1kW以下设备中,节约大量成本。
本领域技术人员应当知晓,本实用新型的保护方案不仅限于上述的实施例,还可以在上述实施例的基础上进行各种排列组合与变换,在不违背本实用新型精神的前提下,对本实用新型进行的各种变换均落在本实用新型的保护范围内。
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