[实用新型]一种监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路

权利要求书

1.一种监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路，其特征在于，包括隔离采样电路、隔离数控电路、二极管阵列驱动电路、功率软开关电路；

所述隔离采样电路的第一、二端分别与隔离数控电路的第一、二端对应相连；隔离数控电路的第三、四端分别与二极管阵列驱动电路的第一、二端相连，第五端用于接入控制输入信号正极，第六端用于接入控制信号对应的地信号；功率软开关电路的第一、二端分别与二极管阵列驱动电路的第三、四端相连，第三、四端分别与隔离采样电路的第三、四端相连，第五、六端作为电源信号的输入、输出端；

所述隔离采样电路用于监控外部的高压功率单元的投切电压，以在发生过压故障时控制功率软开关关断，并向隔离数控电路提供一路隔离电源，作为第一级隔离的电源；

所述隔离数控电路用于将数字信号与二极管阵列驱动电路的控制信号进行隔离，作为第一级隔离的控制信号，使控制信号的前级不受功率单元影响，避免控制级器件损坏及误动作；

所述二极管阵列驱动电路用于提供隔离的高压功率管驱动信号，并用于增加驱动信号的线性度，并将控制信号与高压功率单元完全隔离，实现第二级隔离；

所述功率软开关电路用于降低开关速度，增大导通时间常数，达到缓慢开通实现软起的目的。

2.如权利要求1所述的监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路，其特征在于，所述隔离采样电路包括供电电源、分压电路和隔离模块；分压电路由多个串联的分压电阻构成，用于将所外接的高压功率单元的高压转换为可测试范围内的电压，送到隔离模块；隔离模块的端子包括供电电源输入端、隔离电源输出端、采样信号输入端、采样信号隔离输出端；输入部分与输出部分完全隔离。

3.如权利要求1或2所述的监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路，通过输入电阻R1将控制信号接入到光耦开关芯片，控制信号地直接与光耦开关芯片连接；隔离模块输出电源正极经过高频吸收电容C3和电解电容C2连接到光耦开关芯片M3的输出正极，通过输出端口将驱动信号发送到二极管阵列驱动电路。

4.如权利要求3所述的监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路，其特征在于，所述二极管阵列驱动电路包括RC滤波电路和二极管阵列驱动芯片；

所述RC滤波电路包括输入电阻R2和滤波电容C1，R2输入端与光耦开关芯片M3的输出端口连接引入驱动信号；二极管阵列驱动电路用于提供隔离的高压功率管驱动信号，并通过R2、C1构成的滤波电路增加驱动信号的线性度，并利用二极管阵列驱动芯片的隔离特性使控制信号与高压功率电路部分完全隔离，实现第二级隔离。

5.如权利要求3所述的监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路，其特征在于，所述功率软开关电路包括RC电路和功率开关管MOSFET；RC电路是由电阻R3和电容C4构成的缓充电回路，用于使功率开关管MOSFET栅极电压缓慢增；电阻R4连接功率开关管的栅极G和源极S，保证功率开关管MOSFET正常开通；功率开关管MOSFET的漏极D用于连接所需投切控制的高压信号或电源的正极输入POWER+in，源极S用于连接所需投切控制的高压信号或电源的正极输出POWER+out。

6.如权利要求5所述的监控一体化二极管阵列驱动功率软开关电路，其特征在于，所述二极管阵列驱动芯片采用单个二极管阵列驱动芯片驱动；

当单个驱动电压不足时，采用多个二极管阵列驱动芯片串联提高驱动能力；MOSFET采用NPN型或PNP型。