[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201721087795.X | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN207052609U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的氮化镓外延结构从下至上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：还包括位于氮化镓外延结构底部的衬底。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的介质为SiN介质。
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