[实用新型]220V市电通断状态监测器有效
申请号: | 201721094476.1 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN207148241U | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 王富钱;王凯 | 申请(专利权)人: | 天津伽利联科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G05B19/042 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 | 代理人: | 杨慧玲 |
地址: | 300384 天津市滨海新区高新区华苑*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 220 市电 状态 监测器 | ||
1.220V市电通断状态监测器,其特征在于:包括降压电路、整流滤波模块、隔离模块和控制模块,220V的交流电输入给降压电路,降压电路将降压后的信号传递给整流滤波模块,整流滤波模块将处理后的信号传递给隔离模块,隔离模块处理后的信号传递给控制模块。
2.根据权利要求1所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:降压电路包括第二电阻(R2),第二电阻(R2)的一端与220V交流电的火线连接,第二电阻(R2)的另外一端与整流滤波模块连接。
3.根据权利要求1所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:整流滤波模块包括串联贴片式整流桥堆(MB6S)、二极管(D2)、第一电容(C1),降压电路与整流桥堆(MB6S)的1脚连接,220V交流电的零线接整流桥堆(MB6S)的2脚,整流桥堆(MB6S)的3脚与二极管(D2)的正极连接,整流桥堆(MB6S)的4脚与二极管(D2)的负极连接,第一电容(C1)与二极管(D2)并联,二极管(D2)与第一电容(C1)的两端的连接节点分别与隔离模块连接。
4.根据权利要求1所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:隔离模块包括光电耦合器(OP1),光电耦合器(OP1)的型号为TLP521-1,光电耦合器(OP1)的1脚和2脚分别与整流滤波模块连接,光电耦合器(OP1)的4脚分别与控制模块和第一电阻(R1)的一端连接,第一电阻(R1)的另一端与控制模块连接,光电耦合器(OP1)的3脚接地。
5.根据权利要求1所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:控制模块包括16位低功耗单片机(U1),单片机(U1)的型号为MSP430F149,隔离模块与单片机(U1)连接,单片机(U1)还分别与复位电路、晶振电路、供电电路、指示灯电路连接。
6.根据权利要求5所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:复位电路包括第三电阻(R3)和独石电容(C6),第三电阻(R3)的一端与单片机(U1)的1脚或者64脚连接,第三电阻(R3)的另外一端与独石电容(C6)的一端连接,第三电阻(R3)与独石电容(C6)的节点与单片机(U1)的58脚连接,独石电容(C6)的另外一端接地,独石电容(C6)还并联有复位按钮(RST1)。
7.根据权利要求5所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:晶振电路包括低速晶体振荡器(Y2)、高速晶体振荡器(Y1)、独石电容(C2)、独石电容(C3),高速晶体振荡器(Y1)的一端与独石电容(C3)的一端连接,独石电容(C3)的另一端与独石电容(C2)的一端连接,独石电容(C2)的另一端与高速晶体振荡器(Y1)的另一端连接,独石电容(C3)与独石电容(C2)的连接节点接地,高速晶体振荡器(Y1)与独石电容(C3)的连接节点与单片机(U1)的53脚连接,高速晶体振荡器(Y1)与独石电容(C2)的连接节点与单片机(U1)的52脚连接,低速晶体振荡器(Y2)的两端分别与单片机(U1)的8脚和9脚连接。
8.根据权利要求5所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:供电电路包括接线端子(P1)、独石电容(C4)、独石电容(C5),接线端子(P1)的1脚与单片机(U1)的64脚连接,接线端子(P1)的1脚还与独石电容(C4)的一端连接,独石电容(C4)的另外一端接地,接线端子(P1)的2脚接地,独石电容(C5)的一端与单片机(U1)的7脚连接,独石电容(C5)的另一端接地。
9.根据权利要求5所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:指示灯电路包括第四电阻(R4)和发光二极管(D1),第四电阻(R4)的一端与单片机(U1)的64脚连接,第四电阻(R4)的另外一端与发光二极管(D1)的负极连接,发光二极管(D1)的正极与单片机(U1)的45脚连接。
10.根据权利要求1所述的220V市电通断状态监测器,其特征在于:降压电路包括第二电阻(R2),第二电阻(R2)的一端与220V交流电的火线连接,第二电阻(R2)的另外一端与整流滤波模块连接,第二电阻(R2)为金属氧化膜电阻,第二电阻(R2)的电阻值为200K欧姆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津伽利联科技有限公司,未经天津伽利联科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721094476.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。