[实用新型]一种二维范德华异质结光电探测器有效
| 申请号： | 201721095156.8 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN207529954U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王建禄;陈艳;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 李秀兰 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维半导体 异质结光电探测器 光电探测器 异质结构 衬底 二维 金属源漏电极 制备金属电极 底层半导体 电子束光刻 探测器响应 剥离技术 二维材料 范德华力 技术结合 快速响应 器件结构 制备工艺 灵敏度 异质结 波段 功耗 栅压 制备 半导体 探测 调控 拓展 | ||
【权利要求书】：
1.一种二维范德华异质结光电探测器，包括衬底(1)，氧化物层(2)，底层二维半导体(3)和顶层二维半导体(4)，其特征在于：
所述的光电探测器结构自下而上依次为：衬底(1)，氧化物层(2)，底层二维半导体(3)和顶层二维半导体(4)，底层二维半导体(3)位于氧化物层(2)上的中央位置，顶层二维半导体(4)覆盖部分底层半导体(3)并延展至氧化物层(2)上，金属源极(5)在顶层二维半导体(4)上，金属漏极(6)在底层二维半导体(3)上；其中：
所述的衬底(1)为重掺杂的Si衬底；
所述的氧化物层(2)为SiO2，厚度285±15纳米；
所述的底层二维半导体(3)和顶层二维半导体(4)为MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、SnS2或SnSe2中的两种不同的过渡金属硫族化物原子层，厚度1～10纳米；
所述的金属源极(5)和金属漏极(6)为镍、铬、钛、钯、铂或金，厚度为5～100纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
