[实用新型]一种含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器

权利要求书

1.一种含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于，按照材料结构自下至上依次包括：衬底、缓冲层、成核层、下电极接触层、功能层和上电极接触层；所述缓冲层、成核层、下电极接触层、功能层和上电极接触层所选材料均为AlGaN，Al组分任意可调；所述功能层包括量子势阱层、极化调控层和量子势垒层，所述量子势阱层的厚度为0.0005 µm至0.01 µm，所述极化调控层的厚度为0.002 µm至0.05 µm，所述量子势垒层的厚度为0.02 µm至0.2 µm；所述量子势阱层、极化调控层和量子势垒层由周期性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN/ Al_zGa_1-zN复合异质结构构成，其中：Al_xGa_1-xN为量子势阱层，Al_yGa_1-yN为极化调控层， Al_zGa_1-zN 为量子势垒层，其中0≤x<z<y≤1。

2.根据权利要求1所述的含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：所述衬底为Al₂O₃、GaN、AlN、Si中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：所述缓冲层的厚度为0.01 µm至10 µm。

4.根据权利要求1所述的含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：所述成核层的厚度为0.01 µm至0.5 µm。

5.根据权利要求1所述的含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：所述下电极接触层的n型掺杂浓度在1×10¹⁷ cm^-3至5×10¹⁹ cm^-3之间，厚度为0.1 µm至2 µm。

6.根据权利要求1所述的含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：所述上电极接触层n型掺杂浓度在1×10¹⁷ cm^-3至5×10¹⁹ cm^-3之间，厚度为0.05 µm至0.5 µm。

7.根据权利要求1所述的含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，其特征在于：所述量子势阱层的掺杂浓度在5×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁹ cm^-3之间。