[实用新型]改善电流尖端效应的引线框架及封装体有效
| 申请号： | 201721106813.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207183261U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 向荣忠;姚感;阳小芮 | 申请（专利权）人： | 上海凯虹科技电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽,高翠花 |
| 地址： | 201612 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 电流 尖端 效应 引线 框架 封装 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，其特征在于，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。
2.根据权利要求1所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，所述第三引脚为L型引脚。
3.根据权利要求1所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，所述第一引脚为漏极引脚，第二引脚为片选信号引脚，第三引脚为源极引脚。
4.根据权利要求3所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，还包括一漏极焊垫，所述漏极引脚设置在漏极焊垫的一端。
5.根据权利要求4所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，所述漏极焊垫与其他焊垫错位设置。
6.根据权利要求4所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，所述漏极焊垫至所述片选信号引脚的距离大于其他焊垫至对应引脚的距离。
7.根据权利要求1所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，在所述引线框架的空白区域设置有多个孔。
8.一种封装体，其特征在于，采用权利要求1~7任意一项所述的引线框架。
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