[实用新型]一种三极管用芯片上料机构有效
申请号: | 201721108903.7 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN207217492U | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 庄安琪 | 申请(专利权)人: | 四川金英科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610041 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三极 管用 芯片 机构 | ||
技术领域
本实用新型涉及三极管技术领域,具体涉及一种三极管用芯片上料机构。
背景技术
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
在实际生产过程中,需要经过一系列工序才能完成三极管的制备,为推动三极管工业化、高效率、高质量、大规模生产,本实用新型提供一种新型自动化三极管用芯片上料机构,以促进三极管的应用和发展。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种三极管用芯片上料机构,结构简单,使用方便,实现三极管上料工序的自动化进行,操作精确,效率高,质量好,适用于大规模、工业化生产。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种三极管用芯片上料机构,包括芯片盛装系统、芯片搬运系统和料框移动轨道,所述芯片盛装系统包括芯片盛装盘、第一纵向驱动机构、第一横向驱动机构、支架、散热装置,散热装置、第一纵向驱动机构、第一横向驱动机构、支架自上而下依次设置,且第一纵向驱动机构与芯片盛装盘连接;所述芯片搬运系统包括壳体、芯片搬运头、驱动装置、探照单元、显示单元,所述驱动装置设置在壳体内,所述芯片搬运头设置在壳体底部,且与驱动装置连接,用于将芯片从芯片盛装盘搬运至料框移动轨道,壳体上还设有固定机构,探照单元通过固定机构与壳体连接,显示单元与探照单元连接;所述料框移动轨道与芯片盛装盘平行设置,料框移动轨道底部还分别设有第二纵向驱动机构、第二横向驱动机构,料框移动轨道内设有料框。
进一步地,所述第一纵向驱动机构、第一横向驱动机构分别为带驱动装置的丝杆螺母副。
进一步地,所述第二纵向驱动机构、第二横向驱动机构分别包括气缸、设置在气缸上的牵引针,所述料框上设有与牵引针相匹配的牵引孔,所述第二纵向驱动机构用于驱动料框沿轨道方向向前移动,所述第二横向驱动机构用于驱动料框左右移动。
进一步地,其还包括PLC控制系统,所述PLC控制系统分别与第一纵向驱动机构、第一横向驱动机构、第二纵向驱动机构、第二横向驱动机构、驱动装置、散热装置、探照单元、显示单元连接。
进一步地,其还包括电源,所述电源与PLC控制系统连接。
进一步地,所述固定机构为固定爪,固定爪的一端固定设置在壳体上,另一端抓持连接探照单元。
进一步地,所述芯片搬运头为夹持型芯片搬运头,且与驱动装置活动连接。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的结构简单,使用方便,通过第一驱动机构、第二驱动机构使芯片盛装盘在同一水平面前后左右移动,而芯片搬运头则固定行程,在芯片盛装盘与料框移动轨道来回搬运芯片,而第二横向驱动机构驱动料框左右移动,将芯片搬运头搬运的芯片均匀排成一排,第二纵向驱动机构驱动料框沿料框移动轨道方向向前移动,使芯片在料框上均匀成列排布,本实用新型实现三极管上料工序的自动化进行,操作精确,效率高,质量好,适用于大规模、工业化生产。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造