[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201721110657.9 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN207367977U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | J·希内塞克;V·克洛伯夫 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
第一衬底;
第一光电二极管,其中所述第一光电二极管形成在所述第一衬底中;
第二光电二极管,其中所述第二光电二极管形成在所述第一衬底中;
第二衬底;
导电互连层,所述导电互连层将所述第一衬底耦接到所述第二衬底,其中所述第一光电二极管和所述第二光电二极管都耦接到所述导电互连层;以及
第三光电二极管,其中所述第三光电二极管形成在所述第二衬底中,并且其中所述第三光电二极管形成在所述第一光电二极管下面。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
所述第一衬底中的耦接在所述第一光电二极管和所述导电互连层之间的第一晶体管;以及
所述第一衬底中的耦接在所述第二光电二极管和所述导电互连层之间的第二晶体管。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括:
所述第二衬底中的在所述第二光电二极管下面形成的信号感测电路。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述信号感测电路包括源极跟随器晶体管。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述信号感测电路包括具有电容反馈的反相增益放大器。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述反相增益放大器具有耦接到所述导电互连层的输入节点。
7.一种图像传感器,包括:
第一衬底;
第一多个光电二极管,其中所述第一多个光电二极管形成在所述第一衬底中;
在所述第一多个光电二极管上方形成的第一多个滤色器元件,其中所述第一多个滤色器元件是宽带滤色器元件;
第二多个光电二极管,其中所述第二多个光电二极管形成在所述第一衬底中,并且其中所述第一多个光电二极管和所述第二多个光电二极管以棋盘图案布置;
在所述第二多个光电二极管上方形成的第二多个滤色器元件;
第二衬底;以及
第三多个光电二极管,其中所述第三多个光电二极管形成在所述第二衬底中,并且其中所述第三多个光电二极管中的每个光电二极管在所述第一多个光电二极管中的光电二极管下面形成。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,还包括:
在所述第二衬底中形成的多个电路块,其中每个电路块形成在所述第二多个光电二极管中的光电二极管下面,并且其中每个电路块被配置为从所述第一多个光电二极管中的一个光电二极管、所述第二多个光电二极管中的一个光电二极管和所述第三多个光电二极管中的一个光电二极管读出电荷水平。
9.一种图像传感器,所述图像传感器具有至少第一芯片和第二芯片,其中所述图像传感器包括以重复图案布置的多个1×2像素组,每个像素组包括:
所述第一芯片中的第一光电二极管;
在所述第一光电二极管上方形成的宽带滤色器;
所述第一芯片中的第二光电二极管;
在所述第二光电二极管上方形成的蓝色滤色器;
所述第二芯片中的第三光电二极管,其中所述第三光电二极管在所述第一光电二极管下面形成;以及
所述第二芯片中的信号传感器电路,其中所述信号传感器电路形成在所述第二光电二极管下面。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中所述宽带滤色器是选自由黄色滤色器和透明滤色器所组成的组的滤色器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的