[实用新型]像素排列结构及显示装置有效
申请号: | 201721113988.8 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN207303103U | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 郑士嵩 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 中国台湾新竹县竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排列 结构 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素排列结构及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示器由于具有高对比度、广视角、响应速度快、高光电转换效率等优点,已逐渐应用于各种显示装置的显示面板上。
以往在制造显示面板的过程中多半使用蒸镀制程,蒸镀红蓝绿中任一种颜色的有机材料需要利用掩膜板将另外两个颜色的子像素区域遮掩起来,而且在上述蒸镀过程中,容易在行方向或列方向上产生对准失误,造成各子像素混色的问题。为迁就掩膜板的制造技术及蒸镀制程,传统的OLED像素排列结构在排列方式上通常具有一定的先天限制。
但随着OLED显示面板制程的进步,现有的像素排列结构及显示装置便有了改进的空间。
实用新型内容
本实用新型的目的之一在于提供一像素排列结构,其能够以低成本实现灵活的排布方式和较高的产品良率。
本实用新型的一实施例提供一像素排列结构,其包括沿行方向和列方向排布的多个最小重复单元,该最小重复单元包括多个颜色不同的子像素,其包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,该第一子像素、第二子像素和第三子像素排布在最小重复单元沿列方向依次排布的第一行和第二行;其中:第一行沿行方向依次排布一个第二子像素、一个第一子像素和一个第三子像素;第二行沿行方向依次排布一个第一子像素、一个第三子像素和一个第二子像素;且在所述行方向上,排布在第一行的第二子像素、第一子像素和第三子像素分别与排布在第二行上相应的第一子像素、第三子像素和第二子像素相互错开一预定距离。
本实用新型又一实施例提供一像素排列结构,其包括沿行方向和列方向排布的多个最小重复单元,该最小重复单元包括多个颜色不同的子像素,其包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,第一子像素、第二子像素和第三子像素排布在最小重复单元沿列方向依次排布的第一行和第二行;其中:第一行沿行方向依次排布一个第二子像素、一个第一子像素和一个第三子像素;第二行沿行方向依次排布一个部分的个第一子像素、一个第三子像素、一个第二子像素和另一个部分的第一子像素;且在所述行方向上,排布在第一行的所述第二子像素、第一子像素和第三子像素分别与排布在第二行上相应的部分的第一子像素、第三子像素、第二子像素和另一个部分的第一子像素相互错开一预定距离。
在本实用新型的一实施例中,在所述行方向上,位于第一行的一个子像素分别与第二行中相邻的二个子像素对应的部分共同组成一像素单元。预定距离为行方向上1/2个子像素的长度。第一子像素、第二子像素和第三子像素分别选自红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素中的任一者。在本实用新型的一实施例中,第一子像素、第二子像素和第三子像素为面积相同的矩形。在本实用新型的一实施例中,第一子像素、第二子像素和第三子像素的沿行方向的长度与沿列方向的长度的比为1:1-3:1。本实用新型的一实施例中,相邻子像素之间的沿行方向的最短距离都相等;相邻子像素之间的沿列方向的最短距离都相等。本实用新型的一实施例中,行方向为栅极线路方向,列方向为源极线路方向。
本实用新型又一实施例提供一包括如上任一实施例的像素排列结构的显示装置。
本实用新型实施例提供的像素排列结构能够通过光阻显影的方式形成,无需采用成本较高的蒸镀掩模版,且具有灵活的像素排布方式。
附图说明
图1是根据本实用新型一实施例的像素排列结构的排布示意图
图2所示是图1所示的像素排列结构的局部示意图
图3所示是图1所示的像素排列结构具有另一种最小重复单元的划分方式的示意图
图4A所示是图1所示的像素排列结构具有另一种最小重复单元的划分方式的示意图
图4B所示是图1所示的像素排列结构具有另一种最小重复单元的划分方式的示意图
图5A所示是图1所示的像素排列结构具有另一种最小重复单元的划分方式的示意图
图5B所示是图1所示的像素排列结构具有另一种最小重复单元的划分方式的示意图
图6所示是根据本实用新型一实施例的显示装置的示意图
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的