[实用新型]一种具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子有效

专利信息
申请号: 201721114114.4 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN207116135U 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 何顺;何金良;李传扬;谭向宇;彭晶 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: H01B17/42 分类号: H01B17/42;H01B17/38
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 vfto 抑制 功能 锥形 绝缘子
【权利要求书】:

1.一种具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子,其特征在于,包括:中心嵌件(1)、绝缘区(2)、爬电区(3)和固定法兰(4),其中,所述中心嵌件(1)设置于一空心锥体的的顶端,所述锥体靠近所述中心嵌件(1)的一端为所述绝缘区(2),其余部分为所述爬电区(3),所述爬电区(3)的底部与所述固定法兰(4)相连接。

2.根据权利要求1所述的具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子,其特征在于,所述中心嵌件(1)包括嵌块(11)、固定环(12)和固定钩(13);所述嵌块(11)为柱状结构,所述嵌块(11)的侧壁上设有多个凹槽和凸起,所述凸起上设有所述固定环(12),所述固定环(12)的上设有所述固定钩(13)。

3.根据权利要求2所述的具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子,其特征在于,所述嵌块(11)的上底面和下底面中心部位分别设有一个定位孔(14);所述上底面或下底面上设有多个螺栓固定孔(15)。

4.根据权利要求1所述的具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子,其特征在于,所述绝缘区(2)为环氧树脂基氧化铝绝缘区。

5.根据权利要求1所述的具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子,其特征在于,所述爬电区(3)为环氧树脂基碳化硅填料爬电区、环氧树脂基氧化锌填料爬电区、或者环氧树脂基碳化硅氧化锌混合料爬电区中的任一种。

6.根据权利要求1所述的具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子,其特征在于,所述锥体的顶角为60度至150度之间任一数值。

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