[实用新型]一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。

背景技术

由于顶栅结构的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)具有较低的寄生电容，较优良的电学特性，因此被广泛应用于显示装置中。

常规的顶栅TFT如图1所示，一般包括形成于衬底基板01上的有源层图案02，形成于有源层图案02上的栅极绝缘图案03，形成于栅极绝缘图案03上的栅极04，以及通过过孔与有源层图案02连接的源极05和漏极06。现有技术中在制作顶栅结构的TFT时，由于要采用到栅极04与栅极绝缘图案03的自对准工艺，而栅极04通常采用湿法刻蚀工艺制作，栅极绝缘图案03通过干法刻蚀工艺制作，在利用湿法刻蚀工艺刻蚀栅极04时，由于刻蚀液会在光刻胶下面多刻蚀一小段距离，这样导致栅极04相比栅极绝缘图案03短出一小段距离，即栅极04与栅极绝缘图案03在衬底基板01上的正投影不能完全重合。由于这一小段距离没有栅极04在上方，导致缺少栅极04覆盖的栅极绝缘图案03下方的有源层图案02没有被栅极04调控，进而导致顶栅结构的TFT的开启电流不足，从而影响顶栅TFT的电学特性，使得显示装置的显示效果也受到影响。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，能够增强薄膜晶体管的电学特性，提高显示装置的显示效果。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的有源层图案、设置在所述有源层图案上的栅极绝缘图案，以及设置在所述栅极绝缘图案上的栅极；

所述栅极与所述栅极绝缘图案之间设置有导电图案，所述导电图案与所述栅极电连接；

所述导电图案与所述栅极绝缘图案在所述衬底基板上的正投影重合。

可选的，所述导电图案包括非金属导电材料。

可选的，所述导电图案包括石墨烯材料或碳纳米管网络。

可选的，所述衬底基板和所述有源层图案之间还设置有缓冲层；

所述薄膜晶体管还包括覆盖所述栅极的层间介质层，以及设置在所述层间介质层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层图案电连接。

另一方面，本实用新型实施例提供一种显示基板，包括上述任意一种所述的薄膜晶体管。

可选的，所述显示基板还包括像素电极，所述像素电极与所述导电图案同层同材料设置；

所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

可选的，所述显示基板还包括第一绝缘图案，所述第一绝缘图案与所述栅极绝缘图案同层设置。

可选的，还包括设置在所述像素电极的边缘位置上的刻蚀阻挡保留图案；

所述刻蚀阻挡保留图案与所述栅极同层同材料设置。

可选的，还包括覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，以及设置在所述钝化层上的像素界定层。

再一方面，本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上述任意一种所述的显示基板。

本实用新型实施例提供的薄膜晶体管、显示基板及显示装置，所述薄膜晶体管包括衬底基板、设置在衬底基板上的有源层图案、设置在有源层图案上的栅极绝缘图案，以及设置在栅极绝缘图案上的栅极；栅极与栅极绝缘图案之间设置有导电图案，导电图案与栅极电连接；导电图案与栅极绝缘图案在衬底基板上的正投影重合。相较于现有技术，本实用新型实施例提供的薄膜晶体管通过在栅极和栅极绝缘图案之间设置导电图案，由于可以先通过湿刻工艺刻蚀形成栅极，然后通过干刻工艺刻蚀形成导电图案和栅极绝缘图案，因而可以保证导电图案与栅极绝缘图案在衬底基板上的正投影重合，即栅极绝缘图案上表面上各处位置均存在导电图案，所述导电图案弥补了现有技术中栅极绝缘图案边缘处的上方一小段距离无栅极的缺陷，使得整个栅极绝缘图案下面对应的有源层图案区域都可以被调控，这样增强了薄膜晶体管的电学特性，提高了显示装置的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的顶栅TFT的剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的顶栅TFT的剖面结构示意图；