[实用新型]一种电磁加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及设备电路领域，尤其涉及一种电磁加热装置。

背景技术

现今电磁建热装置成本高、体积重量大，同时运行时噪声大严重干扰使用者操作，同时提高了功耗。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电磁加热装置，以解决上述技术问题，为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种电磁加热装置，电磁加热装置内置加热电路，电路中市电经保险丝FOO1接压敏电阻ZNR，压敏电阻ZNR两端并联电容C1，电容C1接整流桥D401的输入端，整流桥401的输出端经电感L1经接电容C2，同时电感L1接晶闸体管Q001的集电极，晶闸体管Q001的发射极晶体管Q002的集电极，同时晶闸体管Q001的集电极经电容C001接发射极，晶闸体管Q001的基极经电阻R001接电阻R003，电阻R003的两端并联二极管D001，电阻R003接IGBT驱动电路，晶闸体管Q002的发射极接地，晶闸体管Q002的集电极经电容C002接发射极，晶闸体管Q002的基极经电阻R02接发射极，同时晶闸体管Q002的基极经电阻R01接电阻R03，电阻R03两端并联二极管D002，电阻R03和电阻R003接IGBT驱动电路，晶体管Q002的集电极经变压器T401接负载检测电路，变压器T401的另一输入端接晶体管Q1的发射极，集体管Q1的集电极经电感L101接电容C101，晶体管Q1的基极经电阻R101接IGBT驱动电路，晶体管Q1的基极经电阻R102接发射极，同时变压器T401接晶体管Q3的集电极，晶体管Q3的基极经电阻R301接IGBT驱动电路，同时晶体管Q3的基极经电阻R302接发射极，晶体管Q3的发射极经电容C301接电感L301，变压器T401接晶体管Q2的发射极，晶体管Q2的基极经电阻R201接IGBT驱动电路，晶体管Q2的基极经电阻R202接发射极，晶体管Q2的集电极经电感L201接电容C201，变压器T401经晶体管Q4的集电极，晶体管Q4的基极经电阻R401接IGBT驱动电路，晶体管Q4的基极经电阻R402接发射极，晶体管Q4的发射极经电容C401接电感L401，电容C101和C201同时接电容C2，电感L301和L401接地。

在上述技术方案基础上，所述IGBT驱动电路中1.5V电源接晶体管Q604的集电极，同时1.5V电源经二极管D603接二极管D604，二极管D604接地，晶体管Q604的发射极经电阻R607接晶体管Q605的发射极，晶体管Q605的基极接晶体管Q604的基极，晶体管Q605的发射极经电阻R608接加热电路中晶体管的基极，同时电阻R608经电阻R609接地，晶体管Q605的发射极接二极管D604，1.5V电源经电阻R606接晶体管Q603的集电极，晶体管Q603的发射极接地，晶体管Q603的基极经电容C603接地，1.5V电源经电阻R603接电阻R604，电阻R604接晶体管Q603的基极，电阻R603接晶体管Q602的集电极，晶体管Q602的发射极接地，晶体管Q602基极经电阻R605接地，电容C601接晶体管Q601的集电极，晶体管Q601的发射极接地，同时晶体管Q601的集电极经电阻R601接地，电容C601经二极管D601接二极管D602，同时二极管D601接晶体管Q602的基极，二极管D602经电阻R602接地，二极管D602经电容C602接主控芯片。

在上述技术方案基础上，所述负载检测电路中5V电源经电阻R509接二极管D502，电阻R509经电容C505接电路输入端IN10，同时电阻R509接电路输出端OUT，5V电源分别经二极管D501和电阻R510接电路输入端IN10，二极管D502经电阻R516接待测负载，二极管D502经电阻R515接5V电源。

本实用新型设计的电磁加热装置通过设置多组加热线圈，根据需要进行加热，同时分主负加热线圈，主加热线圈功耗高，负加热线圈功耗低，根据需要进行加热有效降低功耗，通过IGBT驱动电路进行驱动，控制精确，运行稳定，大大提高工作人员的工作效率。

附图说明

图1为加热电路图。

图2为IGBT驱动电路图。

图3为负载检测电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。