[实用新型]一种天线振元相位切换单元

说明书

技术领域

本实用新型涉及无线通信领域，更具体的是涉及一种天线振元相位切换单元，适用于CDMA,TDD-LTE,FDD-LTE等4G场景基站天线或热点地区覆盖。

背景技术

现在市面上的天线功能单一，只能查看90度相位的信号或者0度相位信号对天线方向图的影响，鉴于这种状况本公司在原有的基础上发明了这种实用新型，在原有的基础上加入了0/90度的相位自动切换装置，这样我们就能在天线的方向图上查看哪种相位的发射信号最合适。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种天线振元相位切换单元。可实现区分不同相位的发射信号对天线方向图的影响。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种天线振元相位切换单元，包括电桥，电桥的输入端的其中一端与信号输入端口连接，电桥的输入端的另一端通过第五负载电阻与电气地连接，电桥的输出端的其中一端与第一单刀双掷开关的不动端连接，电桥的输出端的另一端与第三单刀双掷开关的不动端连接，

第一单刀双掷开关其中一个动端通过第一负载电阻与电气地连接，第一单刀双掷开关另一动端通过第一电容与第二单刀双掷开关的其中一个动端连接，第二单刀双掷开关另一动端通过第二负载电阻与电气地连接，第二单刀双掷开关的不动端通过第三电容与第一天线连接；

第三单刀双掷开关其中一个动端通过第三负载电阻与电气地连接，第三单刀双掷开关另一动端通过第二电容与第四单刀双掷开关的其中一个动端连接，第四单刀双掷开关的另一动端通过第四负载电阻与电气地连接，第四单刀双掷开关的不动端通过第四电容与第二天线连接。

本实用新型较现有技术相比，具有以下优点：

1、第一单刀双掷开关～第四单刀双掷开关可采用损耗低的赝调制掺杂异质结场效应晶体管单刀双掷开关（PHEMT GaAs IC SPDT Switch），拥有很低的能量损耗；

2、第一单刀双掷开关～第四单刀双掷开关可以随控制电平的高低而导通或截止，为查看不同支路输入信号相位对天线方向图的影响提供了很大的便利；

3、当第一支路截止或者第二支路截止时，从第一天线或第二天线接收到的信号就会进入到第一负载电阻或第二负载电阻，消除了回波信号对信号源的影响，又使得天线端阻抗匹配。

附图说明

图1为本实用新型整体示意图；

图2为电桥输出信号示意图；

图中：1-电桥；2-第一单刀双掷开关；3-第二单刀双掷开关；4-第三单刀双掷开关；5-第四单刀双掷开关；6-第一电容；7-第二电容；8-第一负载电阻；9-第二负载电阻；10-第三负载电阻；11-第四负载电阻；12-信号输入端口；13-第五负载电阻；14-第三电容；15-第四电容；16-第一天线；17-第二天线。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的技术方案进行详细说明。

如图1所示，一种天线振元相位切换单元，包括电桥1，电桥1的输入端的其中一端与信号输入端口12连接，电桥1的输入端的另一端通过第五负载电阻13与电气地连接，电桥1的输出端的其中一端与第一单刀双掷开关2的不动端连接，电桥1的输出端的另一端与第三单刀双掷开关4的不动端连接，

第一单刀双掷开关2其中一个动端通过第一负载电阻8与电气地连接，第一单刀双掷开关2另一动端通过第一电容6与第二单刀双掷开关3的其中一个动端连接，第二单刀双掷开关3另一动端通过第二负载电阻9与电气地连接，第二单刀双掷开关3的不动端通过第三电容14与第一天线16连接；

第三单刀双掷开关4其中一个动端通过第三负载电阻10与电气地连接，第三单刀双掷开关4另一动端通过第二电容7与第四单刀双掷开关5的其中一个动端连接，第四单刀双掷开关5的另一动端通过第四负载电阻11与电气地连接，第四单刀双掷开关5的不动端通过第四电容15与第二天线17连接。

在本实施例中，第一单刀双掷开关2～第四单刀双掷开关5均采用AS213芯片。

输入信号从信号输入端12输入后在电桥1的输出端产生两个等幅但相位相差90度的信号，其中一路信号通过电桥1的输出端的其中一端（图2中的0度相位信号输出端）与第一单刀双掷开关2的不动端连接，另一路信号通过电桥1的输出的另一端（图2中的90度相位信号输出端）与第三单刀双掷开关4的不动端连接。第一单刀双掷开关2～第四单刀双掷开关5通过控制电平控制不动端和两个动端的连通。