[实用新型]一种浪涌抑制电路

权利要求书

1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括整流模块(1)、浪涌抑制模块和单片机，所述整流模块(1)与所述浪涌抑制模块并联，所述浪涌抑制模块包括MOS管、双向晶闸管、第一谐振电路(2)、第二谐振电路(3)和第三谐振电路(4)，所述双向晶闸管的T1端与所述MOS管的漏极相连，所述双向晶闸管的T2端与所述第一谐振电路(2)的一端相连，所述双向晶闸管的控制极分别与所述第一谐振电路(2)的另一端、第二谐振电路(3)的一端和MOS管的源极相连，所述MOS管的栅极分别与所述第二谐振电路(3)的另一端和第三谐振电路(4)相连，所述双向晶闸管的T2端还通过辅助电源与单片机相连，所述单片机与所述第三谐振电路(4)相连。

2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述第一谐振电路(2)为并联的电容C1和电阻R2，所述第二谐振电路(3)为并联的电容C2和电阻R3，所述第三谐振电路(4)为串联的电容C4和电阻R4。

3.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述单片机分别与所述第三谐振电路(4)中的电容C4和电阻R4相连。

4.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述整流模块(1)为全桥整流电路。

5.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述双向晶闸管还与电阻R1并联。

6.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述整流模块(1)和所述浪涌抑制模块还与电容C3并联。

7.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述双向晶闸管的T1端与所述MOS管的漏极之间设有稳压二极管D1。

8.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS管。