[实用新型]一种盆式绝缘子模型表面电荷测量装置有效

专利信息
申请号: 201721119432.X 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN207424121U 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 何顺;彭晶;谭向宇;王科 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G01R29/24 分类号: G01R29/24
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 盆式绝缘子 电荷测量 电荷测量装置 模型表面 数据处理单元 表面电荷 电容探头 高压电极 供能单元 绝缘子 测量 高压电源模块 绝缘子表面 示波器模块 局部电场 显示模块 沿面闪络 正压容器 畸变 申请 积聚
【说明书】:

本申请涉及电荷测量技术领域,具体涉及一种盆式绝缘子模型表面电荷测量装置。实际运行中的GIS盆式绝缘子表面会积聚表面电荷,表面电荷的存在将使得局部电场发生畸变,造成VFTO下绝缘子沿面闪络;对绝缘子表面电荷测量造成干扰,使得测量误差变大。本申请提供一种盆式绝缘子模型表面电荷测量装置,包括电荷测量单元、数据处理单元和供能单元;所述电荷测量单元包括正压容器模块、高压电极模块,所述高压电极模块、待测盆式绝缘子模块和电容探头模块;所述数据处理单元包括静电计模块、示波器模块和显示模块;所述静电计模块与所述电容探头模块相连接;所述供能单元包括高压电源模块。测量干扰小,误差小,精度高。

技术领域

本申请涉及电荷测量技术领域,具体涉及一种盆式绝缘子模型表面电荷测量装置。

背景技术

盆式绝缘子一般由绝缘件(如瓷件)和金属附件(如钢脚、铁帽、法兰等)用胶合剂胶合或机械卡装而成。在空间电场测量方面,目前已应用于强电场测量的传感器主要有M-Z干涉类型和集成共路干涉类型,基于M-Z干涉的电场传感器,半波电场范围为1500kV/m~6000kV/m,能够良好响应ms、μs、ns量级波形,满足强电场测量对灵敏度及频带的要求。基于共路干涉的集成电场传感器主要应用于介质表面放电电场测量,采用此结构的目的是制作亚mm级全电介质传感器,以减小对原场的干扰。而针对VFTO下空间高频电场传感器的研究,对传感器的要求则更加苛刻。球形电场传感器,其带宽为10Hz~25MHz,最大可测场强为10kV/cm,金属球的直径为4cm,将其应用于VFTO外部电场测量,研究结果表明由断路器管壳辐射的电场基频约为10MHz~20MHz,随着传感器与管壳之间距离的变化,电场幅值的变化范围为5kV/m~60kV/m。脉冲电场探头,其带宽为3.5Hz~1GHz,最大可测场强为10kV/cm,经改进后金属壳体直径为1cm、长度为6cm。利用该类型传感器进行了ESD辐射场测试,得出了电场分布的基本规律。有源电场测量系统,采用偶极棒状天线作为接收天线,测量系统的带宽为540Hz~40MHz,最大可测场强为40kV/m。清华大学采用M-Z干涉电场传感器研究了流注放电电场,发现流注所致的电场跃升现象。由以上分析可见,目前,国内外对光电集成电场传感器的研究还处于起步阶段,其应用主要用于测量流注不同位置电场强度,以及架空线周围的电场强度。

实际运行中的GIS盆式绝缘子表面会积聚表面电荷,表面电荷的存在将使得局部电场发生畸变,造成VFTO下绝缘子沿面闪络;对绝缘子表面电荷测量造成干扰,使得测量误差变大。

实用新型内容

本申请的目的是为了解决实际运行中的GIS盆式绝缘子表面会积聚表面电荷,表面电荷的存在将使得局部电场发生畸变,造成VFTO下绝缘子沿面闪络;对绝缘子表面电荷测量造成干扰,使得测量误差变大的问题。

为此,本实用新型实施例提供了如下技术方案:一种盆式绝缘子模型表面电荷测量装置,包括电荷测量单元、数据处理单元和供能单元;

所述电荷测量单元包括正压容器模块,所述正压容器模块内设置有高压电极模块,所述高压电极模块上设置有待测盆式绝缘子模块,所述待测盆式绝缘子模块上设置有若干电容探头模块;

所述数据处理单元包括静电计模块,所述静电计模块与示波器模块相连接,所述示波器模块与显示模块相连接;所述静电计模块与所述电容探头模块相连接;

所述供能单元包括高压电源模块,所述高压电源模块与所述高压电极模块相连接。

可选地,所述高压电极模块呈条状结构,所述高压电极模块水平设置于所述正压容器模块内,所述高压电极模块左端通过导线与所述高压电源模块相连接。

可选地,所述待测盆式绝缘子模块设置于所述高压电极模块外表面上,所述待测盆式绝缘子模块通过嵌件与所述高压电极模块连接,所述待测盆式绝缘子模块设置于所述高压电极模块中间部位;所述待测盆式绝缘子模块水平截面呈“V”形。

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