[实用新型]一种MOS管过流保护电路

说明书

技术领域

本申请涉及MOS管保护领域，尤其涉及一种MOS管过流保护电路。

背景技术

近年来，半导体器件发展迅猛，MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)管因开关频率高、无机械损耗等特点逐渐取代继电器，继而成为电力设备中主要的电流控制元件，例如在开关放大器中，MOS管是控制其电流的关键器件。但是，MOS管缺乏电路过载能力，即当其所在电路发生短路或过流故障，MOS管极易被击穿。目前，解决该问题的方法通常为给MOS管增加过流保护电路。

现有技术中，MOS管过流保护电路的工作原理为：通过电流采样器(例如电流传感器或分流器)采集电路上的电流信号，并将其反馈给控制器；控制器根据接收的电流信号，判断该电流是否超过预设的电流阀值，若超过，则切断MOS管，从而实现对MOS管的保护；否则，由电流采样器一直监控并采集电路上的电流信号，直至该电流超过预设的电流阀值或MOS管停止工作。

但是，现有MOS管过流保护电路中使用的电流传感器或分流器一般具有较高的价格，且随着其功率的升高，其价格还将呈阶梯式上升，这就造成现有MOS管过流保护电路的成本较高，从而影响了该保护电路的广泛使用。另外，在检测电流过程中，电流传感器或分流器需要MOS管驱动电路(驱动MOS管工作的电源)以外的电源为其供电，这造成了现有MOS管过流保护电路在使用过程中功耗高的问题。

实用新型内容

本申请提供了一种MOS管过流保护电路，以解决现有技术中的MOS管过流保护电路功耗高、成本高的问题。

本申请提供了一种MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，所述MOS管过流保护电路包括第一电容、充电电路、放电电路与MOS管断开电路；

所述第一电容串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；

所述充电电路与放电电路并联后串联在所述第一电容与MOS管驱动电路之间，所述充电电路用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容充电，使所述第一电容的充电电压随MOS管的导通电压V_DS同步升降；

所述放电电路用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容完全放电；

所述MOS管断开电路串联在所述第一电容与MOS管的G极之间，用于在所述第一电容的充电电压超过预设稳压值时，将MOS管的G极电压降低，从而使MOS管断开。

优选地，所述充电电路包括第一三极管与第二三极管，所述第一三极管的c极通过第七电阻连接至第二三极管的b极,

所述第一三极管的b极连接第二电阻的一端，所述第一三极管1的e极接地；

所述第二电阻的另一端用于连接MOS管驱动电路；

所述第二三极管的e极用于连接直流电源，其c极通过第一电阻连接至所述第一电容的一端。

优选地，所述MOS管断开电路包括第四三极管，所述第四三极管的c极连接第六二极管的负极，所述第六二极管的正极用于连接MOS管的G极，

第四三极管的b极依次连接第二二极管的正极与第一二极管的负极，所述第一二极管的正极连接至第一电容的一端，其中，第二二极管为稳压二极管；

所述MOS管断开断路还包括第四电阻与第二电容，所述第四电阻与所述第二电容并联后连接第四三极管的b极与e极的两端，第四三极管的e极接地。

优选地，所述放电电路包括第三三极管，所述第三三极管的b极连接第三电组的一端，其e极连接至所述第一电容的一端，其c极接地；

所述第三电组的另一端用于连接所述MOS管驱动电路。

优选地，所述第一电容与MOS管e极的连接线路上设置钳位电路，所述钳位电路用于在第一电容的充电电压未超过预设的稳压值时，将所述第一电容的充电电压钳制在预设的钳电压上。

优选地，所述钳位电路包括第五二极管与第三二极管3，所述第五二极管的负极通过第五电阻连接至所述第一电容的一端；

所述第五二极管的正极连接所述第三二极管的正极，其中，第五二极管为稳压二极管；

所述第三二极管的负极连接至MOS管的D极。

优选地，所述MOS管过流保护电路还包括过流上报电路，所述过流上报电路用于在所述第一电容的充电电压超过预设的稳压值时，发送过流故障信号。

优选地，所述过流上报电路包括第四二极管，所述第四二极管的负极连接所述MOS管断开电路中第三三极管的c极，

所述第四二极管的正极连接第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接直流电压；