[实用新型]一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器

说明书

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器。

背景技术

功率放大电路广泛地应用在音频等模拟信号放大及处理领域，目前广泛采用三极管进行功率放大电路设计，但随着对放大电路输出功率越来越大的需求，三极管放大电路由于自身的特性已越来越难以满足大功率输出的需求：首先，三极管属于电流放大型元件，输出功率越大，所需的基极电流就越大，控制电路功耗越大；其次，大功率三极管由于制造工艺限制，放大倍数都比较低，这就进一步需要增加基极电流，从而使得控制电路功耗进一步增大，不得不采用多级驱动，这就增加了系统复杂度，增加了设备的体积和重量。

为了克服大功率功率放大电路控制电路功耗大引起的问题，近年来人们采用MOSFET代替三极管进行功率放大电路设计，MOSFET属于电压控制型元件，改变栅极的电压信号即可实现对输出功率的控制，控制所需功率很小甚至可以忽略不计，从而很大幅度地减少了控制电路功耗，简化了控制电路设计。但是MOSFET的栅极开启电压一般为2V-5V，明显高于三极管0.6V左右的开启电压，存在着较大的控制死区，对驱动信号的响应速度慢，这就限制了MOSFET功率放大电路的发展应用。

实用新型内容

本申请提供了一种快速导通MOSFET放大电路及功率放大器，以实现MOS管跟随驱动信号快速导通，提高放大电路的快速响应功能。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供了一种快速导通MOSFET放大电路，所述电路包括第一MOSFET管、第一电压源、第一驱动信号源、第一直流电源、第一电容和第一三级管，其中：

所述第一驱动信号源的输出端连接所述第一三级管的基极、所述第一三级管的射极连接所述第一MOSFET管的栅极；

所述第一电容的一端分别连接所述第一三级管的集电极和所述第一直流电源的输出端、另一端接地；

所述第一MOSFET管的漏极连接所述第一电压源的输出端、源极接地。

优选地，所述电路还包括由第二三级管和第三三极管组成的图腾柱驱动单元、第二直流电源以及第一电阻，其中：

所述第一电阻的一端连接所述第一驱动信号源的输出端、另一端分别连接所述第二三级管和第三三极管的基极；

所述第二三级管的集电极连接所述第二直流电源的输出端、射极连接分别连接所述第一MOSFET管的栅极、所述第三三极管的射极和所述第一三极管的射极；

所述第三三极管的集电极接地。

优选地，所述第一电容包括多个并联的子电容。

优选地，所述电路还包括第二MOSFET管、第二电压源、第二驱动信号源、第三直流电源、第二电容和第四三级管，其中：

所述第二驱动信号源的输出端连接所述第四三级管的基极、所述第四三级管的射极连接所述第二MOSFET管的栅极；

所述第二电容的一端分别连接所述第四三级管的集电极和所述第三直流电源的输出端、另一端接地；

所述第二MOSFET管的漏极连接所述第二电压源的输出端、源极接地，所述第二MOSFET管的与所述第一MOSFET管的导通特性相反。

优选地，所述电路还包括由第五三级管和第六三极管组成的图腾柱驱动单元、第四直流电源以及第二电阻，其中：

所述第二电阻的一端连接所述第二驱动信号源的输出端、另一端分别连接所述第五三级管和第六三极管的基极；

所述第五三级管的集电极连接第四直流电源、射极连接分别连接所述第一MOSFET管的栅极、所述第六三极管的射极和所述第一三极管的射极；

所述第六三极管的集电极接地。

根据本实用新型实施例的第二方面，还提供了一种功率放大器，该放大器包括本实用新型实施例第一方面提供的快速导通MOSFET放大电路。