[实用新型]用于PECVD和印刷连接的一体化设备有效
申请号: | 201721133635.4 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN207116401U | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 杨晴 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L31/18;B41F19/00 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人: | 朱丽莎 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 pecvd 印刷 连接 一体化 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池硅片生产设备技术领域,尤其涉及一种用于PECVD和印刷连接的一体化设备。
背景技术
现阶段PECVD工序到印刷机台的物料传送方式为:PECVD的下料机台将硅片装载在花篮里,再将花篮放在小推车上运输到印刷,PECVD工序到印刷工序的传输主要依靠人力来完成,中间需要较多的花篮和小推车,效率较低,成本高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了解决现有技术中PECVD工序到印刷机台的物料传送方式效率低,成本高的技术问题,本实用新型提供一种用于PECVD和印刷连接的一体化设备。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于PECVD和印刷连接的一体化设备,包括PECVD下料机的出料端、传输轨道、印刷机的上料端、硅片完整性测试装置、缓存区,所述传输轨道的后端和PECVD下料机的出料端相连接,传输轨道的前端和印刷机的上料端相连接,硅片完整性测试装置和缓存区均设置在传输轨道上,缓存区位于硅片完整性测试装置的后方。
PECVD镀膜完成后下片时,在现有下片机的传输轨道末端,加装一段传输设备,该设备直接连接到印刷机台的上料端,传输设备的轨道上面,有缓存区和测试硅片完整性的测试装置,识别硅片的完整性,当硅片为完整时,直接传输到印刷上料机台,当硅片为非完整硅片(破片)时,报警模块报警,破片信息传输到印刷上料机台的控制系统和缓存区,此时印刷前端的传输轨道停止传输,缓存区开始工作,PECVD下片机后端的轨道将硅片暂存在缓存区,相关人员移除破片后,解除报警,缓存区停止工作,印刷上料机台继续传输;当缓存区上满硅片时,该信息传输到PECVD下片机的控制系统,PECVD下片机的轨道停止传输;当PECVD下料机台没有硅片传输时,缓存架下降,此时传输缓存架上的硅片。
所述硅片完整性测试装置包括红外测试模块、信号传输模块和报警模块,红外测试模块包括位于传输轨道下方的底部打光台和位于底部打光台正上方的拍照装置,底部打光台和拍照装置均和信号传输模块电连接,信号传输模块和报警模块电连接。
进一步,具体地,所述缓存区包括能够升降的缓存架,缓存架内的两侧设置有缓存台阶,报警模块和缓存架的升降控制机构电连接。
为了便于传送,避免硅片不稳,所述硅片宽度大于传输轨道的宽度。
所述硅片输送到底部打光台正上方时,硅片在底部打光台的正投影全部落在底部打光台上。
本实用新型的有益效果是,本实用新型用于PECVD和印刷连接的一体化设备,PECVD下料机台和印刷机台的连接,省去了中间的传输环节,节省花篮、小推车和中间运输人员的成本,生产效率高,节约人工成本;本实用新型结构简单,操作方便,便于推广和应用。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型最优实施例的结构示意图。
图中:1、PECVD下料机的出料端,2、传输轨道,3、印刷机的上料端,4、硅片完整性测试装置,41、底部打光台,42、拍照装置,5、缓存区,51、缓存架,6、硅片。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示,是本实用新型最优实施例,一种用于PECVD和印刷连接的一体化设备,包括PECVD下料机的出料端1、传输轨道2、印刷机的上料端3、硅片完整性测试装置4、缓存区5,传输轨道2的后端和PECVD下料机的出料端1相连接,传输轨道2的前端和印刷机的上料端3相连接,硅片完整性测试装置4和缓存区5均设置在传输轨道2上,缓存区5位于硅片完整性测试装置4的后方。硅片6宽度大于传输轨道2的宽度。
硅片完整性测试装置4包括红外测试模块、信号传输模块和报警模块,红外测试模块包括位于传输轨道2下方的底部打光台41和位于底部打光台41正上方的拍照装置42,底部打光台41和拍照装置42均和信号传输模块电连接,信号传输模块和报警模块电连接。硅片6输送到底部打光台41正上方时,硅片6在底部打光台41的正投影全部落在底部打光台41上。
缓存区5包括能够升降的缓存架51,缓存架51内的两侧设置有缓存台阶,报警模块和缓存架51的升降控制机构电连接。
PECVD下料机上设置有PECVD下料机的出料端控制系统,印刷机上设置有印刷上料端控制系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造