[实用新型]薄膜极化过程中的定位装置、薄膜极化承载组件及其设备有效
申请号: | 201721136045.7 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN207489841U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 王开安 | 申请(专利权)人: | 王开安 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/673;H01L41/257 |
代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 蔺显俊;梁琴琴 |
地址: | 美国加利福*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电器件 薄膜 定位装置 本实用新型 承载组件 极化过程 极化 转动 抵接位置 分离位置 分体设置 极化设备 极化位置 极化效果 精准定位 转动行程 不接触 移位 抵接 施力 保证 | ||
1.薄膜极化过程中的定位装置,其用于对包含有薄膜的压电器件定位以避免薄膜在极化过程中移位,其特征在于:所述定位装置与压电器件分体设置并可相对所述压电器件转动,所述定位装置转动行程中包括一抵接位置和一分离位置,所述定位装置转动至所述抵接位置时与压电器件边缘抵接并对压电器件边缘施力以将压电器件定位,所述定位装置转动至所述分离位置时,所述定位装置与所述压电器件不接触。
2.如权利要求1所述的薄膜极化过程中的定位装置,其特征在于:所述定位装置包括圆形底座及凸设于圆形底座边缘的抵接部,所述圆形底座定义一圆心,所述抵接部任一点到圆形底座圆心之距离均大于所述圆形底座自身半径大小,所述圆形底座自身半径小于压电器件边缘到圆形底座圆心之最小距离且所述抵接部任一点到圆形底座圆心之距离均大于所述压电器件边缘到圆形底座圆心之最小距离。
3.如权利要求2所述的薄膜极化过程中的定位装置,其特征在于:所述定位装置还包括旋转部,所述旋转部从圆形底座之端面垂直延伸形成,所述旋转部为圆柱状,且与所述圆形底座同一中心轴线设置,所述旋转部的半径小于等于圆形底座自身半径。
4.如权利要求3所述的薄膜极化过程中的定位装置,其特征在于:所述圆形底座与所述旋转部相对的平面上开设有扭孔,用以扭动所述定位装置旋转。
5.如权利要求3所述的薄膜极化过程中的定位装置,其特征在于:所述定位装置还包括弹簧定位销,所述旋转部表面上开设有定位槽,所述弹簧定位销与所述定位槽可伸缩式接触对旋转部定位。
6.如权利要求5所述的薄膜极化过程中的定位装置,其特征在于:所述定位槽为开设于所述旋转部表面上的环形槽。
7.如权利要求5所述的薄膜极化过程中的定位装置,其特征在于:所述定位槽为开设于所述旋转部表面上的环形排布的间隔槽。
8.薄膜极化承载组件,其特征在于:包括如权利要求5-7任一项所述的薄膜极化过程中的定位装置以及基座,所述基座上形成有用于放置压电器件的放置区域及开设于放置区域边缘的用于供所述旋转部放入的定位孔,所述定位装置旋转部容置于所述定位孔中并可相对所述基座转动。
9.如权利要求8所述的薄膜极化承载组件,特征在于:所述基座上还开设有与所述定位孔连通的定位销孔,所述定位销孔孔壁与所述弹簧定位销螺纹配合并通过该定位销孔穿设于所述基座中与所述旋转部的定位槽抵接。
10.薄膜极化设备,其特征在于:包括如权利要求8所述的薄膜极化承载组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造