[实用新型]一种反向导通型IGBT有效
| 申请号： | 201721136373.7 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN207250523U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 向导 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种反向导通型IGBT，包括漂移区，在漂移区的上表面并排设置有若干MOS结构，其特征在于：在漂移区的下面间隔设置有若干与漂移区半导体类型相同的重掺杂区，在相邻两个重掺杂区之间设置有位于漂移区下方且漂移区半导体类型相同的缓冲区，在缓冲区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的外延层。
2.根据权利要求1所述的反向导通型IGBT，其特征在于：所述的漂移区为N型漂移区（5），所述的缓冲区为N+型缓冲区（8）。
3.根据权利要求2所述的反向导通型IGBT，其特征在于：外延层包括位于所述的N+型缓冲区（8）下方的P型外延层（9）以及位于P型外延层（9）下部的P+型外延层（10）。
4.根据权利要求3所述的反向导通型IGBT，其特征在于：所述的P型外延层（9）厚度为5~20μm。
5.根据权利要求3所述的反向导通型IGBT，其特征在于：所述的P+型外延层（10）厚度为5~20μm。
6.根据权利要求1所述的反向导通型IGBT，其特征在于：在所述的重掺杂区以及外延层的下部形成底层金属层（11）并引出集电极。
7.根据权利要求1所述的反向导通型IGBT，其特征在于：在所述的MOS结构表面形成顶层金属层（1）并引出发射极。
8.根据权利要求1所述的反向导通型IGBT，其特征在于：所述的MOS结构为平面式或沟槽式。
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