[实用新型]一种逆向阻断型IGBT

权利要求书

1.一种逆向阻断型IGBT，包括漂移区，在漂移区的上表面并排形成若干MOS结构，在漂移区的下方设置有半导体类型与漂移区相反的衬底，在漂移区的外端设置有预定切割线（9），其特征在于：在衬底与漂移区之间设置有半导体类型与衬底相同的外延层，在最外侧MOS结构与预定切割线（9）之间设置有若干隔离柱，隔离柱的上表面与漂移区的上表面平齐，其下表面穿过外延层后与衬底接触。

2.根据权利要求1所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：在所述的最外侧MOS结构与隔离柱之间还设置有若干降压环（5），降压环（5）设置在漂移区的上表面。

3.根据权利要求2所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：在漂移区的上方设置有顶层氧化硅层（6），顶层氧化硅层（6）自最外侧MOS结构处向外延伸至预定切割线（9）处。

4.根据权利要求1所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：所述的漂移区为N型漂移层（2），所述的衬底为P+型衬底（4），所述的外延层为P型外延层（7）。

5.根据权利要求1所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：所述的隔离柱为氧化硅隔离柱（8）或半导体类型与衬底相同的半导体隔离柱。

6.根据权利要求1所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：在所述的最外侧MOS结构与隔离柱之间还设置有终止区（15），终止区（15）设置在漂移区的上表面。

7.根据权利要求1所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：在所述的漂移区与外延层之间设置有半导体类型与漂移区相同的缓冲层。

8.根据权利要求1所述的逆向阻断型IGBT，其特征在于：所述的MOS结构为平面式或沟槽式。