[实用新型]共源共栅电路和电子设备

权利要求书

1.一种共源共栅电路，所述共源共栅电路包括：

高侧晶体管，所述高侧晶体管包括源极和栅极；和

低侧晶体管，所述低侧晶体管包括漏极、源极和栅极，其中：

所述高侧晶体管的所述源极耦接到所述低侧晶体管的所述漏极；并且

所述高侧晶体管的所述栅极耦接到所述低侧晶体管的所述源极和所述栅极中的每一者。

2.根据权利要求1所述的共源共栅电路，还包括：具有第一端子和第二端子的第一耦接元件，其中所述第一耦接元件的所述第一端子电连接到所述高侧晶体管的所述栅极，并且所述第一耦接元件的所述第二端子电连接到所述低侧晶体管的所述源极或所述低侧晶体管的所述栅极，其中所述第一耦接元件是电阻器或电容器。

3.根据权利要求1所述的共源共栅电路，还包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器各自具有第一电极和第二电极，其中：

所述第一电容器的所述第一电极电连接到所述高侧晶体管的所述栅极，并且所述第一电容器的所述第二电极电连接到所述低侧晶体管的所述栅极；并且

所述第二电容器的所述第一电极电连接到所述高侧晶体管的主体，并且所述第二电容器的所述第二电极电连接到所述低侧晶体管的所述栅极。

4.一种共源共栅电路，所述共源共栅电路包括：

高侧晶体管，所述高侧晶体管包括源极、栅极和主体；和

低侧晶体管，所述低侧晶体管包括漏极、源极和栅极，

其中：

所述高侧晶体管的所述源极耦接到所述低侧晶体管的所述漏极；

所述高侧晶体管的所述栅极耦接到所述低侧晶体管的所述源极；并且

所述高侧晶体管的所述主体耦接到所述低侧晶体管的所述栅极。

5.根据权利要求4所述的共源共栅电路，还包括具有第一电极和第二电极的电容器，其中所述电容器的所述第一电极电连接到所述高侧晶体管的所述主体，并且所述电容器的所述第二电极电连接到所述低侧晶体管的所述栅极。

6.一种电子设备，所述电子设备包括：

高侧晶体管，所述高侧晶体管包括：

沟道层；

漏极电极，所述漏极电极覆盖沟道层并耦接到高侧电源端子；和

源极电极，所述源极电极覆盖所述沟道层；

低侧晶体管，所述低侧晶体管包括：

漏极区，所述漏极区耦接到所述高侧晶体管的所述源极电极；和

源极区，所述源极区耦接低侧电源端子；和

场电极，所述场电极覆盖并电容耦接到所述高侧晶体管的所述沟道层，其中所述场电极被配置为处于这样的电压，所述电压介于所述高侧电源端子的电压和所述低侧电源端子的电压之间。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中：

所述高侧晶体管还包括栅极电极，其中所述场电极覆盖但不电连接到所述高侧晶体管的所述栅极电极；

所述高侧晶体管的所述栅极电极在覆盖所述沟道层的位置以及所述高侧晶体管的所述源极电极和所述漏极电极之间具有最高高度；并且

所述场电极包括位于低于所述位置处的所述最高高度的高度处的部分。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其中：

所述部分横向设置在所述高侧晶体管的所述栅极电极和所述高侧晶体管的所述漏极电极或所述高侧晶体管的所述源极电极之间。

9.根据权利要求6所述的电子设备，其中：

所述高侧晶体管还包括栅极电极，其中所述场电极覆盖但不电连接到所述高侧晶体管的所述栅极电极；并且

在所述高侧晶体管的所述源极电极和所述漏极电极之间，所述场电极的最低高度高于所述栅极电极的最高高度，并且所述最低高度与所述沟道层之间的距离小于0.9微米。

10.根据权利要求6所述的电子设备，其中：

所述高侧晶体管是耗尽型晶体管，并且所述低侧晶体管是增强型晶体管；

高侧晶体管的所述漏极电极电连接到所述高侧电源端子；

所述高侧晶体管还包括栅极电极，其中所述场电极覆盖并电容耦接到所述栅极电极，但不电连接到所述高侧晶体管的所述栅极电极，并耦接到所述低侧晶体管的所述源极区；

所述高侧晶体管的所述源极电连接到所述低侧晶体管的所述漏极区；

所述低侧晶体管的所述栅极电极电连接到所述场电极；并且

所述低侧晶体管的所述源极区电连接到所述低侧电源端子。