[实用新型]一种太阳能光伏组件有效
申请号: | 201721146544.4 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN207134365U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 段军;洪承健;胡德政;李沅民;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S50/10 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 张京波,曲鹏 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 组件 | ||
技术领域
本申请涉及光伏发电技术领域,尤指一种太阳能光伏组件。
背景技术
光伏组件是通常所说的太阳能电池,是用于将光子的能量转换成电能的装置(具体原理为:利用电池芯片层将光能转化为电能,直接输出,电池芯片层不能存储电能)。其电池芯片层的发电量受自然环境条件的影响较大,特别是温度对电池芯片层的发电量的影响,为了提高电池芯片层的发电量,因而需要测试温度对电池芯片层的发电量的影响,从而不断推进关于电池芯片层的研发。
而在电池芯片层的测试温度环境中,通常采用的方法是:采用环境箱、加热灯、金属板、水槽等对光伏组件进行温度控制,检测不同温度下的光伏组件的光电转换性能。此种方法测试时测温探头测试的是光伏组件表面的温度,因光伏组件表面的散热速度远大于光伏组件内部电池芯片层的散热速度,所以光伏组件表面温度与电池芯片层的实际温度存在较大差异,造成测试温度与电池芯片层的发电量的关系不准确。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本申请提供了一种太阳能光伏组件,其直接测量电池芯片层的温度,能更准确地检测电池芯片层的温度与电池芯片层的发电量的对应关系。
为了达到本申请目的,本申请提供了一种太阳能光伏组件,包括依次叠装在一起的第一透光层、温度传感器层、电池芯片层和第二透光层,所述温度传感器层和所述电池芯片层位于所述第一透光层和所述第二透光层之间,所述温度传感器层用于检测所述电池芯片层的温度,所述电池芯片层用于对外输出电压;其中,所述温度传感器层包括多个温度传感器,所述电池芯片层包括多个电池片,多个所述电池片相互电连接,所述温度传感器位于所述电池片之间的间隙处。
可选地,所述太阳能光伏组件还包括:加热层,设置于所述电池芯片层和所述第二透光层之间,用于对所述电池芯片层处进行加热。
可选地,所述太阳能光伏组件还包括:第一粘结层,设置在所述电池芯片层的朝向所述第二透光层侧的表面上;所述加热层为透明电热镀膜层,所述加热层设置于所述第二透光层的朝向所述第一透光层侧的表面,所述第一粘结层与所述加热层相粘结。
可选地,所述加热层为采用掩膜方式蒸镀的氧化铟锡。
可选地,所述太阳能光伏组件还包括:第一粘结层,设置在所述电池芯片层的朝向所述第二透光层侧的表面上;和第二粘结层,设置在所述第二透光层的朝向所述电池芯片层侧的表面上,所述加热层设置在所述第一粘结层和所述第二粘结层之间。
可选地,所述加热层呈栅格状或网状。
可选地,所述加热层为铜丝、钨丝或康铜丝。
可选地,所述太阳能光伏组件还包括:第三粘结层,设置在所述第一透光层的朝向所述温度传感器层侧的表面上。
可选地,所述温度传感器为热敏电阻或热电偶。
可选地,所述太阳能光伏组件还包括:接线盒,所述电池芯片层与所述接线盒电连接。
可选地,所述电池芯片层包括多个电池芯片,多个所述电池片通过汇流条相连接。
可选地,所述第一透光层和所述第二透光层均为钢化玻璃。以上部分请参考权利要求补充信息。
与现有技术相比,本实用新型提供的太阳能光伏组件,温度传感器层设置在第一透光层和第二透光层之间、并临近电池芯片层,测试时温度传感器层直接测量电池芯片层的温度,能更准确地反映电池芯片层的温度与电池芯片层的发电量的对应关系,能够同时满足自然光照射下或模拟光照射下的测试要求,检测得到的电池芯片层的温度与电池芯片层的发电量的对应关系更准确;而且温度传感器层还能够用于对户外实际运行情况进行监控,其实用性更好。
多个温度传感器位于多个电池片之间的间隙处,避免温度传感器遮挡电池片吸收透光第一透光层的光线。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本实用新型一个实施例所述的太阳能光伏组件的结构示意图;
图2为本实用新型另一个实施例所述的太阳能光伏组件的结构示意图;
图3为图1和图2中加热层一个实施例的结构示意图;
图4为图1和图2中加热层另一个实施例的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的