[实用新型]一种p型双面电池核心的BIPV双面组件

说明书

技术领域

本实用新型属于太阳能光伏领域，具体涉及一种p型双面电池核心的BIPV双面组件。

背景技术

太阳能光伏作为洁净能源的一种是未来能源解决方案的候选之一。特别是经过近年来的发展，其应用日渐广泛，工艺日趋成熟。太阳能电池是以半导体材料为基础的能量转换器件，是太阳能发电的核心部分，低成本、高效率是当前晶体硅太阳能电池的发展方向。

当前p型PERC(passivated emitter and rear contact，钝化发射极背面接触)结构电池以其可观的效率提升、良好的工艺兼容性及相对低廉的设备投入已逐渐成为当今主流的量产化的高效电池技术。而在PERC技术基础上升级的下一代高效电池技术目前是行业内研究的重点。

P型PERT(passivated emitter and rear totally diffused)结构电池是量产型高效电池技术下一步发展的主要方向之一，它在PERC结构基础上背面增加了一个p+的高低结背场，可以对背表面起到更好的钝化作用，从而进一步提升电池的效率。

BIPV(光伏建筑一体化Building Integrated PV)是将太阳能发电系统与建筑构件集成在一起，不仅能够承担该建筑构件在楼体中的建筑职能，同时还可以进行光电转换，为系统负载提供电力。随着新能源的不断发展和城市节能减排、绿色环保需求的日益增加，太阳能光伏建筑一体化越来越成为太阳能应用发电的新潮流。

P型PERT的结构为n-p-p+，需要在硅片的正反面分别作n型及p型的掺杂，另外要保证n型侧的受光面为绒面形态，以降低反射率，确保有足够的入射光能被利用，而p+侧的背场要求为抛光形态，更平整的表面能够获得更好的钝化效果，同时也可以起到背反射的作用，增加长波部分光的利用率。

从上所述，p型PERT结构工艺涉及到多种单面处理技术，而传统工艺过程都是无选择性的，如扩散，无论是磷扩散还是硼扩散，都是将硅片放置在掺杂源的氛围中进行，在我们做一面掺杂的时候势必会影响到另一面；再例如，制绒或抛光，这两个都是化学腐蚀过程，是将整个硅片浸没在化学药液中进行反应，在实现制绒/抛光效果的同时如何确保另一面的抛光/制绒结构不受影响。这些工艺难题无法通过现有的设备工艺来解决。通常实验室的做法是通过单面掩模(氮化硅等)对不需要处理的一面进行保护，但是采用掩模工艺会使制程工艺复杂化，难以发展成为量产工艺，同时掩模本身也会引入制程的不确定因素(如掩模清洗困难有残留等)，影响效率。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提出了一种p型双面电池核心的BIPV双面组件。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种p型双面电池核心的BIPV双面组件，包括：上层玻璃、下层玻璃、设置于上层玻璃与下层玻璃之间的多个p型双面电池以及与p型双面电池连接的分体式接线盒；p型双面电池从正面至背面方向依次包括：正面金属栅线电极、正面钝化减反层、n层、p型硅片、p+层、背面钝化层以及背面金属栅线电极；正面钝化减反层为氮化硅钝化减反膜；p型硅片的正面设有绒面；背面钝化层包括氧化铝层和氮化硅层，氧化铝和氮化硅依次层叠设置于p+层上；背面金属栅线电极包括：H状栅极以及背电极，H状栅极包括主栅线以及副栅线，主栅线的宽度大于背电极的宽度并包裹背电极。

本实用新型一种p型双面电池核心的BIPV双面组件结构简单，可有效双面发电，且发电效果良好。

进一步，氧化铝层的厚度为5～30nm，氮化硅层的厚度为60～130nm；正面钝化减反层的厚度为60～100nm。

进一步，主栅线的根数为3～15根，副栅线的根数为100～200根。

进一步，在p型硅片的正、反面分别设有重掺杂区和轻掺杂区，而正面金属栅线电极设置于p型硅片正面的重掺杂区，背面金属栅线电极设置于p型硅片背面的重掺杂区。

进一步，重掺杂区为在p型硅片正面或反面开槽后掺杂后形成。

采用上述优选的方案，将重掺杂区和轻掺杂区进行区分，降低了表面复合速率，有利于载流子的收集。

进一步，所述槽的截面成梯形。

进一步，所述槽的截面成多阶状结构。

进一步，所述槽的截面成V形。

进一步，所述槽的截面成W形。

进一步，所述槽的截面成波浪型。

采用上述优选的方案，根据具体的情形选择合适的槽结构。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的p型双面电池核心的BIPV双面组件的结构示意图。