[实用新型]一种双面P型PERC太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201721154700.1 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN208189600U 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 方结彬;林纲正;赖俊文;秦崇德;何达能;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫
地址: 322009 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 氮化硅膜 背面 激光开槽 氧化铝膜 铝栅 本实用新型 太阳能电池 正银电极 主栅 槽口宽度小于槽 光电转换效率 垂直连接 平行设置 填充因子 依次层叠 电池串 电池
【说明书】:

本实用新型公开了一种双面P型PERC太阳能电池,包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成30‑500个平行设置的激光开槽区,所述激光开槽区的槽口宽度小于槽底宽度;所述铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与背银主栅垂直连接。采用本实用新型,能降低电池串阻,大幅提高电池的填充因子和光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种双面P型PERC太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。

传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术,在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产,而对于双面PERC太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究。

对于双面PERC太阳能电池,由于光电转换效率高,同时双面吸收太阳光,发电量更高,在实际应用中具有更大的使用价值。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种双面P型PERC太阳能电池,能降低电池串阻,大幅提高电池的填充因子和光电转换效率。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种双面P型PERC太阳能电池,包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;

所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成30-500个平行设置的激光开槽区,所述激光开槽区的槽口宽度小于槽底宽度;

所述铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与背银主栅垂直连接。

作为上述方案的改进,所述激光开槽区为连续式排布或分段式排布。

作为上述方案的改进,所述激光开槽区截面形状为梯形、五边形或六边形。

作为上述方案的改进,所述激光开槽区的槽口宽度为10-500μm,激光开槽区的槽底宽度为30-800μm。

作为上述方案的改进,所述激光开槽区的深度为1-20μm。

作为上述方案的改进,铝栅线的宽度为30-550μm;背银主栅的宽度为0.5-5mm。

作为上述方案的改进,所述铝栅线的根数为30-500条;所述背银主栅的根数为2-8条。

作为上述方案的改进,所述背银主栅为连续直栅;或所述背银主栅呈间隔分段设置;或所述背银主栅呈间隔分段设置,各相邻分段间通过连通区域连接。

作为上述方案的改进,所述背面氮化硅膜的厚度为20-200nm;所述背面氧化铝层的厚度为2-30nm。

作为上述方案的改进,所述背面氮化硅膜的折射率为1.5-3.0。

实施本实用新型,具有如下有益效果:

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