[实用新型]一种自密封碳化硅晶体生长用坩埚装置有效
| 申请号： | 201721155444.8 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN207862478U | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/14 | 分类号： | C30B13/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 赵斌;苗峻 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 坩埚装置 籽晶轴 自密封 坩埚 本实用新型 开放式设计 保温材料 热量损耗 温度梯度 生长 坩埚盖 挥发 折损 变形 开口 分解 改进 | ||
【权利要求书】：
1.一种自密封碳化硅晶体生长用坩埚装置，其特征在于：包括坩埚体、坩埚盖和籽晶轴(1)；
其中，坩埚体由坩埚腔体(7)和坩埚腔体保温层(8)组成，坩埚腔体保温层(8)包裹在坩埚腔体(7)外侧；坩埚盖包括内盖和外盖，外盖由位于下层的实体外盖(5)和上层的外盖保温层(6)组成；内盖由位于下层的实体内盖(3)和上层的内盖保温层(4)组成；
籽晶轴(1)上设有直径大于籽晶轴直径、小于内盖下截面直径的圆盘形的籽晶轴平台(2)，位于坩埚盖的高度位置以下。
2.根据权利要求1所述的一种自密封碳化硅晶体生长用坩埚装置，其特征在于：坩埚体开口处坩埚腔体(7)和坩埚腔体保温层(8)成连续梯形，与外盖相配合。
3.根据权利要求1所述的一种自密封碳化硅晶体生长用坩埚装置，其特征在于：所述的内盖呈倒圆台形，内盖外侧面与外盖内侧面相配合，坩埚盖盖上后，实体内盖(3)与实体外盖(5)等高，外盖保温层(6)与内盖保温层(4)等高。
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