[实用新型]一种带有加固结构的石墨舟有效
申请号: | 201721157294.4 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN207367939U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 石志勇;朱雨;许华慧 | 申请(专利权)人: | 东方日升新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡拥军 |
地址: | 315609 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 加固 结构 石墨 | ||
本实用新型公开了一种带有加固结构的石墨舟,包括若干个平行设置且交错分布的石墨舟上连接片和石墨舟下连接片,石墨舟上连接片的两端部分别设有上电极,石墨舟下连接片的两端部分别设有下电极;位于同一侧的所有上电极之间通过第一石墨杆串接后形成上电极组件;位于同一侧的所有下电极之间通过第二石墨杆串接后形成下电极组件;还包括加固板,加固板设置于下电极组件上,并且加固板包覆下电极组件的顶面及两侧面;第二石墨杆的两端贯穿加固板的两个侧壁向外伸出,每个第二石墨杆的两端通过第二石墨螺母紧固。本实用新型具有电极固定强度好、电极受力均匀不易损坏的特点。
技术领域
本实用新型涉及一种石墨舟,具体涉及一种带有加固结构的石墨舟。
背景技术
石墨舟是一种在等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)管式炉内,对经过制绒及扩散等工艺处理后的多晶或单晶硅片的表面采用等离子体增强型化学气相沉积工艺进行氮化硅薄膜沉积的承载工具。
现有技术中,申请号为201120072784.0的实用新型公开了一种石墨舟,包括石墨舟片、上电极以及与所述上电极对应设置的下电极,下电极两端设有支撑脚,支撑脚上部紧靠下电极的槽垫块,石墨舟片至少为15片;两个支撑脚之间的距离为与真空镀膜设备腔体匹配的预定距离;石墨舟片之间的间距为10-13mm。这种结构的石墨舟虽然能够增加载片数量,但是存在如下缺点:下电极两端通过支撑脚进行支撑,存在电极的固定强度差、电极受力不均匀的缺点,位于中间位置的电极容易损坏。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种带有加固结构的石墨舟,它具有电极固定强度好、电极受力均匀不易损坏的特点。
本实用新型的目的采用如下技术方案实现:
一种带有加固结构的石墨舟,包括若干个平行设置且交错分布的石墨舟上连接片和石墨舟下连接片,石墨舟上连接片的两端部分别设有上电极,石墨舟下连接片的两端部分别设有下电极;其特征在于,
位于同一侧的所有上电极之间通过第一石墨杆串接后形成上电极组件,每相邻的两个所述上电极之间的第一石墨杆上套装有第一导电块,每个所述第一石墨杆的两端通过第一石墨螺母紧固;
位于同一侧的所有下电极之间通过第二石墨杆串接后形成下电极组件,每相邻的两个所述下电极之间的第二石墨杆上套装有第二导电块;
还包括加固板,所述加固板设置于所述下电极组件上,并且所述加固板包覆所述下电极组件的顶面及两侧面;所述第二石墨杆的两端贯穿所述加固板的两个侧壁向外伸出,每个所述第二石墨杆的两端通过第二石墨螺母紧固。
进一步地,所述加固板的纵向截面为n字形。
进一步地,每个下电极组件的下部设有支撑脚。
进一步地,所有石墨舟上连接片和石墨舟下连接片之间通过第三石墨杆串接,每个所述第三石墨杆的两端通过第三石墨螺母紧固。
进一步地,石墨舟上连接片和石墨舟下连接片的数量之和大于21个。
进一步地,石墨舟上连接片和石墨舟下连接片的数量之和为23个,其中,石墨舟上连接片的数量为12个,石墨舟上连接片的数量为11个。
相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:
本实用新型的石墨舟设有加固板,加固板设置于所述下电极组件上,并且加固板包覆所述下电极组件的顶面及两侧面;第二石墨杆的两端贯穿加固板的两个侧壁向外伸出,每个第二石墨杆的两端通过第二石墨螺母紧固。通过这样设计,能够提高下电极组件的固定强度,并且使得每个下电极的受力更加均匀不易损坏。
附图说明
图1为本实用新型的石墨舟的正视结构示意图;
图2为本实用新型的石墨舟的侧视结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造