[实用新型]一种集成光学强电场传感器

权利要求书

1.一种集成光学强电场传感器，其特征在于，包括：波导基片，所述波导基片上设置有光波导，所述波导基片与所述光波导的延伸方向垂直的两端均设置有一个硅块，每个所述硅块上设置有V型槽，所述V型槽内均粘接有裸光纤，一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的一端对准，另一个所述硅块的所述V型槽内的所述裸光纤与所述光波导的另一端对准。

2.根据权利要求1所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述硅块通过紫外固化胶粘接在所述波导基片与所述光波导的延伸方向垂直的两端。

3.根据权利要求1所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述波导基片与所述光波导的延伸方向平行的两端均设置有接触电极，每个所述接触电极均设置有天线基片。

4.根据权利要求3所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述天线基片上设置有偶极子天线，所述偶极子天线与所述接触电极电气连接。

5.根据权利要求4所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述偶极子天线的长度为2mm～5mm。

6.根据权利要求3所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述天线基片为硅基片。

7.根据权利要求3所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述集成光学强电场传感器还包括垫片，所述波导基片和所述天线基片均固定在所述垫片上。

8.根据权利要求7所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述集成光学强电场传感器还包括绝缘封装壳，所述垫片通过硅胶粘接在所述绝缘封装壳内。

9.根据权利要求7所述的集成光学强电场传感器，其特征在于，所述波导基片为铌酸锂晶片，所述垫片为铌酸锂垫片。