[实用新型]半导电体电荷发射测试装置

说明书

本申请涉及一种半导电体电荷发射测试装置，属于发射电荷测试领域。所述装置包括电源端和与其相连的第一电极，所述第一电极内形成空心区，所述第一电极与半导电体相接触，所述半导电体与待测试品相接触，所述试品放置在第二电极上。本申请可测试半导电体是否对试品发射电荷，以便改进或合理利用材料。

技术领域

本申请涉及一种半导电体电荷发射测试装置，用于实现半导电体的电荷发射测试，属于发射电荷测试领域。

背景技术

高压电直流或交流电缆在远距离大容量输电中广泛应用，但运行过程中，不可避免地存在电荷积聚现象，空间电荷积聚会导致电缆绝缘层材料内部局部电场畸变和电气性能下降，最终造成绝缘层材料老化，从而影响电缆的使用寿命。

因此研究半导电体，尤其是高压直流电缆中半导电体的空间电荷的发射问题，尤其是对绝缘层材料的发射问题，对开发新型材料、以及抑制电荷发射方法的提出均具有重要意义。但是目前并没有半导电体电荷发射的测试装置，更没有类似的发射测试装置可供借鉴。

实用新型内容

针对上述问题，本申请主要提供了一种半导电体电荷发射测试装置，可测试半导电体电荷的发射情况。

本申请的技术方案为：一种半导电体电荷发射测试装置，包括电源端和与其相连的第一电极；

所述第一电极内形成空心区，所述第一电极的下表面与半导电体的上表面相接触；

所述半导电体的下表面与待测试品的上表面相接触；

所述试品放置在第二电极上。

与现有技术相比，本申请的有益效果为：

1.本申请提供的半导电体电荷发射测试装置，使得判断半导电体是否对试品发射电荷变得可行，解决了试验条件下测试半导电体和试品间关系的难题。

2.第一电极的空心区与半导电体直接接触，而非半导电体全部与第一电极接触，从而使得测量半导电体是否向试品发射电荷成为可能。

3.本申请中，从对试品的电荷的测量(空心区对应区域)，来反推半导电体是否对试品发射电荷，从而判断半导电体是否具有对试品发射电荷的行为。

4.本申请研究的半导电体电荷发射问题，可以解决无法直接测量半导体是否发射电荷的难题；本申请提出的装置对于研究其他材料的发射具有很高的参考性，且对研究半导电体的电荷发射及提高材料特性具有重要的意义。

5.本申请一方面开辟了测试半导电体(或其他材料)是否向被测试品直接发射电荷的装置，不仅可以验证半导电体电荷发射的问题，还可采取后续方法对发射的电荷进行测量；另一方面也为其他领域需要解决相同或相似的问题提供了借鉴。

附图说明

图1是本申请一种实施方式的装置的立体示意图；

图2是图1的剖视图；

图3是第一电极的截面图；

图中编号：1电源端，2第一电极，21电极上表面，22电极下表面，23电极内表面，24电极外表面，25空心区，3半导电体，31半导电体第一区，32半导电体第二区，33半导电体第三区，4试品，41试品第一区，42试品第二区，43试品第三区，5第二电极。

具体实施方式

以下结合具体实施方式和附图对本申请的技术方案进行详实的阐述，然而应当理解，在没有进一步叙述的情况下，一个实施方式中的元件、结构和特征也可以有益地结合到其他实施方式中，并不限于单一的累加。