[实用新型]一种LED抗光衰炉冷却系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及光伏电池片氢钝化领域，特别涉及一种LED抗光衰炉冷却系统。

背景技术

太阳能发电技术是目前最重要的可再生能源技术之一。当下太阳能发电成本仍然高于传统能源，制约了其大规模的应用。为此，产业界和科学界一直致力于提高太阳能电池的光电转换效率、降低太阳能电池的制造成本。

太阳能发电是基于半导体材料的光伏效应。P型半导体和N型半导体接触形成PN结，产生强大的内部电场。当光照射半导体时激发产生的电子一空穴被电场分离，被分离的电子和空穴在半导体基体中扩散到表面被电极收集，从而对外提供电能。因此太阳能电池对作为基体的半导体材料提出了两个最主要的要求:高纯和高完整。高纯是指半导体材料中的杂质少；高完整是指半导体材料的晶格完整性高。这是因为半导体中的杂质和晶格缺陷会使光照产生的电子和空穴复合耗损，导致被收集的载流子数量下降从而使太阳能电池的光电转换效率降低。

按半导体材料划分，太阳能电池可分为晶体硅太阳能电池、化合物太阳能电池、有机太阳能电池等，其中晶体硅太阳能电池是目前最主流的太阳能电池。这是由于硅晶体的优异特性导致的，其中一个很重要的特点就是硅晶体容易实现高纯和高完整这两个要求，例如用于制造太阳能电池的硅晶体纯度高达6个9以上；容易制备单晶体的硅(虽然多晶体的硅也被应用于制造太阳能电池)。

即使如此，硅晶体中极少量的杂质和缺陷仍然对太阳能电池的性能产生了显著影响，甚至制约了电池效率的进一步提高。硅晶体中的杂质除了故意掺入的掺杂剂一硼和磷之外，还包括氧、碳、氮等轻元素杂质(其中硼和氧会形成硼氧复合体，它对电子一空穴具有高复合活性)以及铁、钻、镍、铬、铜等过渡金属杂质。

硅晶体中的缺陷包括本征点缺陷外，特别是指晶界、位错以及晶体表面的硅悬挂键等。这些杂质和缺陷成为光生电子一空穴的“杀手”，显著降低了少数载流子的寿命从而降低了太阳能电池的转换效率。

晶体硅中的氢元素对太阳能电池有着重要作用。硅中的氢原子具有很强的反应活性，它能够与轻元素杂质及其复合体反应；与掺杂原子硼、磷反应；与过渡金属杂质反应；与硅悬挂键结合，富集在晶体表面、晶界、位错区域；甚至与其他氢原子反应形成氢分子等。因此可以利用氢原子与其他杂质和缺陷的反应来钝化这些复合中心的复合活性，提高硅晶体中少数载流子的寿命。

据公开的文献报道，在硅晶体中引入氢原子的方法如以下:

(1)在太阳能电池制造过程中利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积氮化硅薄膜。氮化硅薄膜中富含的氢原子扩散到硅晶体的界面，钝化了界面上的硅悬挂键，显著降低了硅晶体的表面复合速率。

(2)氢等离子体处理。通过浸没在氢等离子体中能在硅晶体的近表面引入氢原子。无论是沉积氮化硅薄膜还是氢等离子体处理，但这些方法存在的问题是:只能在硅晶体近表层(通常小于几微米)引入氢，而无法在基体中引入高浓度的氢原子，所以氢原子对太阳能电池基体内部的杂质和缺陷的钝化作用非常微弱。

如何实现在太阳能电池基体内引入较高浓度的氢原子，最大化地利用其对基体内杂质和缺陷的钝化作用。因此非平衡载流子的氢钝化产生方法，对于提高太阳能电池的转换效率具有重要意义。

根据非平衡载流子的产生方法有：光热法、电注入法。

光热法的操作过程中，LED灯会产生大量的热量，需要一种可以对LED灯降温和对产品控温的冷却系统。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术的上述缺陷，提供一种LED抗光衰炉冷却系统。LED抗光衰炉冷却系统使太阳能电池片在退激活、抗衰减工艺过程中实现可控性。实现LED模组光强大小可控，电池片工艺温度可控。令太阳能电池片可在高光强低温下/低光强高温下进行工艺处理。让实际温度/光强可控范围更加宽广。

为解决现有技术的上述缺陷，本实用新型提供的技术方案是：一种LED抗光衰炉冷却系统，包括炉体，所述炉体内具有炉胆，所述炉胆的顶部设有冷却铝水箱，所述冷却铝水箱的底部焊接有LED发光模组，所述炉胆的两侧内壁上分别设有辅助冷却压缩空气系统和鼓风机加压进风系统，所述炉胆的中部设有用于输送太阳能电池片通过该炉胆的输送网链，所述输送网链的正下方设有水冷凝器，所述炉胆的底部设有将炉胆内的热风抽出、并可以调节抽风风力的热风马达。

作为本实用新型LED抗光衰炉冷却系统的一种改进，所述炉胆的两侧内壁上还分别设有辅助加热发热管，当所述炉胆内需要提升温度时，关闭所述辅助冷却压缩空气系统和鼓风机加压进风系统，辅助加热发热管加热。