[实用新型]一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈

权利要求书

1.一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，该双频头线圈包括第一有机玻璃柱形框架和第二有机玻璃柱形框架，所述第二有机玻璃柱形框架套设在所述第一有机玻璃柱形框架内，所述第一有机玻璃柱形框架与第二有机玻璃柱形框架固定连接；

所述第一有机玻璃柱形框架外表面固定设置1H微带线多通道阵列线圈，所述1H微带线多通道阵列线圈用于对样品和/或被试进行定位、匀场，获得样品和/或被试的高分辨率的结构像；

所述第二有机玻璃柱形框架外表面固定设置异核核素线圈，所述异核核素线圈用于对样品和/或被试进行异核核素成像，获得样品和/或被试的生理代谢信息。

2.如权利要求1所述的一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，所述1H微带线多通道阵列线圈采用1*8的质子微带线回路单元，八个所述质子微带线回路单元均采用特氟龙材质，八个所述质子微带线回路单元周向均匀固定设置在所述有机玻璃柱形框架外表面，八个所述质子微带线回路单元的结构完全相同，相邻两个所述质子微带线回路单元连接电容去除耦合，各所述质子微带线回路单元分别独立地发射或接收磁共振信号。

3.如权利要求2所述的一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，每一所述质子微带线回路单元的顶面铺设一层高纯度矩形铜皮，所述矩形铜皮中部开设有缝隙，被所述缝隙分割而成的两部分铜皮之间通过一耐高压纳法级电容Cn连接；每一所述质子微带线回路单元的底面平行设置1～2条的高纯度铜线，每一所述质子微带线回路单元的一侧面设置有无磁可调耐高压电容Cf，每一所述质子微带线回路单元的另一侧面设置有无磁可调耐高压电容Ct；所述矩形铜皮的一端连接所述无磁可调耐高压电容Cf的一端，所述无磁可调耐高压电容Cf的另一端连接所述铜线的一端，所述铜线的另一端连接所述无磁可调耐高压电容Ct的一端，所述无磁可调耐高压电容Ct的另一端连接所述矩形铜皮的另一端，且所述铜线的另一端还通过一无磁可调耐高压电容Cm并联连接同轴电缆和接地端。

4.如权利要求1或2或3所述的一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，所述异核核素线圈采用相控阵回路阵列结构，八个所述相控阵回路分别固定设置在所述第二有机玻璃柱形框架外表面，相邻两个所述相控阵回路之间并联连接两个无磁可调耐高压电容Cf1去耦。

5.如权利要求4所述的一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，每一所述相控阵回路均包括有六个无磁耐高压电容上下左右对称分布，每一所述相控阵回路的回路顶端设置一无磁可调耐高压电容Cm1用于阻抗调节进行信号的接收或发送，每一所述相控阵回路的底端设置一无磁可调耐高压电容Ct1进行谐振频率的调节，每一所述相控阵回路的左右两端分别对称设置若干个分布式固定电容Cm，其中，所述无磁可调耐高压电容Cm1、四个分布式固定电容Cm和无磁可调耐高压电容Ct1串联连接成一个相控阵回路。

6.如权利要求1所述的一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，所述第一有机玻璃柱形框架的两端均设置也有穿线孔。

7.如权利要求3所述的一种用于超高场的多核代谢成像双频头线圈，其特征在于，所述矩形铜皮的厚度为1mm。