[实用新型]电子负载的保护电路及电子负载

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，具体涉及一种电子负载的保护电路及电子负载。

背景技术

在电子、通信、能源等领域中，需要对电源稳压器、蓄电池和功率电子元件等电源设备进行电能输出测试。电子负载可以准确检测出电源设备的负载电压，精确调整负载电流。电子负载的可以通过控制内部功率MOSFET或晶体管的导通量(占空比大小)，靠功率MOSFET或晶体管的耗散功率消耗电能来检测出电源设备的负载电压，精确调整负载电流。可以反馈电源设备的输出在采样电阻上的电压，并比较该电压和基准电压源电路输出的电压，进而调节MOSFET或晶体管的电阻值。

然而，现有的电子负载在带载时，容易出现很大的浪涌电流，大的浪涌电流容易将MOSFET或晶体管击穿，损坏电子负载。

实用新型内容

基于此，为解决现有技术中在出现大的浪涌电流时，易将MOSFET或晶体管击穿，损坏电子负载的技术问题，特提出了一种电子负载的保护电路，可以保护电子负载中的功率管，提高电子负载的安全性。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种电子负载的保护电路，所述电子负载的保护电路包括开关和功率控制模块，所述开关的第一端与所述功率控制模块的有效电平连接，所述开关的第二端与所述功率控制模块的控制端连接，所述功率控制模块与功率管的控制端连接，所述功率管用于拉载被测电源设备的电能，其中：

所述开关，用于在所述开关闭合时，将所述功率控制模块的有效电平与所述功率控制模块连接；

所述功率控制模块，用于在接收到所述功率控制模块的有效电平时，将所述功率管的控制端置为无效工作电平。

作为一种可能的实现方式，所述功率控制模块为NPN型三极管，所述功率控制模块的有效电平为高电平。

作为一种可能的实现方式，所述电子负载的保护电路还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述开关的第二端连接，所述第一电阻的第二端与所述NPN型三极管的基极连接，其中：所述第一电阻，用于在所述开关闭合时将所述NPN型三极管的控制端与所述NPN型三极管的有效信号连接。

作为一种可能的实现方式，所述功率控制模块为N型场效应晶体管，所述功率控制模块的有效电平为高电平。

作为一种可能的实现方式，所述功率控制模块为P型场效应晶体管，所述功率控制模块的有效电平为低电平。

作为一种可能的实现方式，所述功率管为P型场效应晶体管，所述功率控制模块，用于将所述功率管的控制端置为无效工作电平，包括：所述功率控制模块，用于将所述P型场效应晶体管的栅极电位置为零电位。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种电子负载，所述电子负载包含第一方面和第一方面任一种实现方式中的任一种所述的电子负载的保护电路。

作为一种可能的实现方式，所述电子负载还包含反接保护模块，其中，所述反接保护模块，与所述被测电源设备串联，用于所述被测电源设备与所述功率管单向导通。

作为一种可能的实现方式，所述反接保护模块为二极管，所述二极管的正极与所述被测电源设备的正极连接，所述二极管的负极与所述功率管连接。

作为一种可能的实现方式，所述电子负载还包含过压保护模块，所述过压保护模块与所述功率管串联，用于在所述被测电源设备的输出电压大于预设阈值时，断开所述功率管与所述被测电源设备的连接。

本实用新型实施例通过在发生大的浪涌电流时，闭合开关，通过功率控制模块将功率管的控制电位置为无效电位，从而将消耗被测电源设备的功率管关闭，可以在浪涌电流过大时起到保护功率管的作用，从而可以保护电子负载的安全性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供一种电子负载的保护电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的另一种电子负载的保护电路的电路结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的一种电子负载的电路结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的另一种电子负载的电路结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的又一种电子负载的电路结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的再一种电子负载的电路结构示意图。

具体实施方式