[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 201721180307.X | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN207489882U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 孙海杰;郑霈霆;金浩;张昕宇;许佳平 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底层 太阳能基板 氧化硅膜层 太阳能电池 第二电极 第一电极 掺杂层 钝化层 电极 背面 本实用新型 电池背面 制备 电池 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述电池包括太阳能基板和电极;所述太阳能基板包括衬底层、设置在所述衬底层正面的掺杂层、设置在所述衬底层背面的第一氧化硅膜层和钝化层,所述第一氧化硅膜层设置在所述衬底层和所述钝化层之间;
所述电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述太阳能基板的正面,连接所述掺杂层;所述第二电极设置在所述太阳能基板的背面,连接所述衬底层。
2.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述电池还包括设置在N型掺杂层表面的第二氧化硅膜层。
3.根据权利要求2所述的电池,其特征在于,所述电池还包括减反膜,所述减反膜设置在所述钝化层和所述第二氧化硅膜层表面。
4.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述衬底层为硅衬底层。
5.根据权利要求4所述的电池,其特征在于,所述衬底层为P型硅衬底层,所述掺杂层为N型掺杂层。
6.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述钝化层为氧化铝膜层。
7.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述第一电极为银电极;所述第二电极为铝电极。
8.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述衬底层的电阻率的取值范围为1Ω·cm至5Ω·cm。
9.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述掺杂层的方块电阻的取值范围为:70Ω/□至120Ω/□。
10.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述第一氧化硅膜层的厚度的取值范围为:5nm至15nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司,未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721180307.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有二氧化硅膜的光伏玻璃
- 下一篇:一种多晶硅组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的