[实用新型]一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管

权利要求书

1.一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管，包括栅极(1)、源极(2)、漏极(3)、二氧化硅绝缘层(4)、两个N区(5)、一个P区(6)、外延片(9)，其中，两个N区(5)分别设置在P区(6)的上表面的两端，两个N区(5)和一个P区(6)整体构成方形结构；所述二氧化硅绝缘层(4)设于两个N区(5)以及P区(6)的上方；所述栅极(1)设置在两个N区(5)之间的P区(6)上侧的二氧化硅绝缘层(4)顶部；所述源极(2)穿过其中一个N区(5)上侧的二氧化硅绝缘层(4)与下侧的N区(5)连通；所述漏极(3)穿过另外一个N区(5)上侧的二氧化硅绝缘层(4)与下侧的N区(5)连通；其特征在于，所述P区(6)上端面正对氧化硅绝缘层(4)的部位向下凹陷形成定位凹槽，所述二氧化硅绝缘层(4)下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，所述等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，所述外延片(9)嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配；所述P区(6)内设置有位于容置容腔正下方的附加P区(7)，所述附加P区(7)的掺杂浓度大于P区(6)的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管，其特征在于，所述附加P区(7)设置在栅极(1)轴线所处的直线上。

3.根据权利要求1所述的金氧半场效晶体管，其特征在于，所述二氧化硅绝缘层(4)与方形结构接触的表面之间设置有多个二氧化硅限位柱(8)。

4.根据权利要求3所述的金氧半场效晶体管，其特征在于，所述二氧化硅限位柱(8)为直径为1mm以下的圆柱。

5.根据权利要求3所述的金氧半场效晶体管，其特征在于，所述二氧化硅绝缘层(4)与N区(5)接触的表面各自设置有与二氧化硅限位柱(8)相适应的限位孔，二氧化硅限位柱(8)的两端分别嵌入二氧化硅绝缘层(4)的限位孔以及N区(5)的限位孔中。

6.根据权利要求1所述的金氧半场效晶体管，其特征在于，所述外延片(9)的厚度为2μm～15μm。