[实用新型]一种适用于RIE刻蚀的载板装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种载板装置，具体涉及一种适用于RIE刻蚀的载板装置，属于太阳能电池技术领域。

背景技术

目前多晶硅太阳能电池的酸制绒工艺优化已经达到瓶颈，无法进一步降低硅片表面的反射率，但是通过干法RIE刻蚀在硅片表面形成纳米级的凹坑，可有效的降低硅片的反射率，增加太阳光的吸收，提升电池片的电流。

硅片在RIE刻蚀生产过程中，需要一种载板，其能够承载硅片在机器内部传输，进行工艺过程，因此载板的结构会直接影响硅片RIE刻蚀的效果和工艺的稳定性。

载板中陪片位置用于放置陪片(硅片分隔成需要的小硅片)，陪片可有效的保证硅片刻蚀的均匀性。但现有载板中仅设有简单的定位点，通过简单的定位点不能很好的固定陪片，生产过程中易导致缺失。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种适用于RIE刻蚀的载板装置，使陪片稳固安装在载板上，确保硅片表面形成一层均匀纳米级凹坑。

为了实现上述目的，本实用新型采用的一种适用于RIE刻蚀的载板装置，包括用于传输硅片的铝载体，还包括设置在铝载体内的若干用于放置硅片的硅片位、用于分隔硅片位的定位点、及设置在铝载体四周边缘上的若干陪片位；

所述铝载体呈方形，所述硅片位具有四十个，硅片位均匀分布在所述铝载体上，通过所述定位点相互隔开；

所述陪片位具有二十八个，陪片位通过定位点与所述硅片位隔开。

作为改进，所述陪片位采用凹槽状，且陪片安装在凹槽状的陪片位内时，陪片的上表面与硅片的上表面齐平。

作为改进，所述铝载体呈长方形，陪片位两两对称设置在铝载体四周边缘上。

作为改进，所述铝载体的两长边上各设有九个陪片位，两短边上各设有五个陪片位。

作为改进，所述铝载体的内部横向设有八个硅片位，纵向设有五个硅片位。

作为改进，所述定位点的形状为椭圆形。

作为改进，所述硅片位、定位点、陪片位均由铝材制成。

与现有技术相比，本实用新型可实现陪片牢固的固定在载板上，不会在生产过程中发生陪片缺失，避免影响RIE刻蚀效果，有效保证工艺的稳定性，使硅片表面形成一层均匀纳米级凹坑。

附图说明

图1为本实用新型的俯视结构示意图；

图2为本实用新型中定位点的结构示意图；

图3为本实用新型的外部结构示意图；

图中：1、铝载体，2、硅片位，3、定位点，4、陪片位。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。但是应该理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限制本实用新型的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术术语和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同，本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

如图1、图2和图3所示，一种适用于RIE刻蚀的载板装置，包括用于在RIE刻蚀机和RIE刻蚀上下料机的传输系统上传输硅片的铝载体1，还包括设置在铝载体1内的若干用于放置硅片的硅片位2、用于分隔硅片位2的定位点3、及设置在铝载体1四周边缘上的若干陪片位4；

所述铝载体1呈方形，所述硅片位2具有四十个，硅片位2均匀分布在所述铝载体1上，通过所述定位点3相互隔开；

所述陪片位4具有二十八个，陪片位4通过定位点3与所述硅片位2隔开。

作为实施例的改进，所述陪片位4采用凹槽状，且陪片安装在凹槽状的陪片位4内时，陪片的上表面与硅片的上表面齐平。采用凹槽状设计，可实现陪片与硅片上表面在同一水平面上，有利于硅片边缘位置充分RIE刻蚀

作为实施例的改进，所述铝载体1呈长方形，陪片位4两两对称设置在铝载体1四周边缘上。进一步的，所述铝载体1的两长边上各设有九个陪片位4，两短边上各设有五个陪片位4，结构设计合理，加工方便，且陪片的安装更稳固、高效。

作为实施例的改进，所述铝载体1的内部横向(图1所示的长边所在方向)设有八个硅片位2，纵向设有五个硅片位2。

作为实施例的改进，如图2所示，所述定位点3的形状为椭圆形，不会对硅片边缘造成损伤。如图1所示，位于铝载体1内的用于隔开相邻硅片位2的定位点3呈方形(四个定位点为一组)布置，以确保定位点3四周的硅片不会出现边缘损伤。