[实用新型]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201721182587.8 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN207381405U | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 朱儒晖;姚固;邹清华;王玉;段廷原;曾苏伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及显示装置,用以扩大指纹或掌纹识别的范围,突破了现有的指纹识别只能在固定区域进行的限制,实现了全屏幕的指纹或掌纹识别,同时提升了光线识别的精确度。本申请提供的显示面板,包括:衬底基板、以及位于所述衬底基板之上的近红外有机发光二极管像素、像素单元以及近红外光敏二极管。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机电致发光面板(AMOLD)由于具有高对比度、宽色域、响应速度快、可柔性化等优异特性,激起平板行业商业化生产的热情,成为未来显示技术中最具发展潜力的竞争者。
AMOLED面板应用于手机显示已是大势所趋,手机全屏化也是业界追逐的技术方向,相应地,全屏化趋势下的正面指纹或掌纹识别也成为人机交互的重要需求。而如何实现刚性、柔性屏的全屏指纹识别是一个亟待解决的问题。
现有技术中,指纹识别都是限制在固定区域内,并且需要单独设置额外的背光灯作为识别光源,或采用集成式Micro LED作为识别光源,组装复杂,不利于手机的轻便化与柔性化,也无法实现全屏区域的指纹或掌纹识别。
实用新型内容
本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置,用以扩大指纹或掌纹识别的范围,突破了现有的指纹识别只能在固定区域进行的限制,实现了全屏幕的指纹或掌纹识别。
本申请实施例提供的一种显示面板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板之上的近红外有机发光二极管像素、像素单元以及近红外光敏二极管。
本申请实施例提供的上述显示面板,通过在衬底基板之上设置近红外有机发光二极管像素、像素单元以及近红外光敏二极管,扩大了指纹或掌纹识别的范围,突破了现有的指纹识别只能在固定区域进行的限制,实现了全屏幕的指纹或掌纹识别,另一方面,由于将近红外有机发光二极管像素、近红外光敏二极管整合于屏幕内,不用再额外设置用于指纹识别的光源设备,从而降低了组装的复杂度,有利于产品的轻便化与柔性化。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,所述显示面板为有机电致发光面板。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,所述近红外有机发光二极管像素与所述像素单元同层设置。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,包括多个所述近红外有机发光二极管像素、多个像素单元以及多个近红外光敏二极管;
其中,所述近红外有机发光二极管像素与所述像素单元,交互间隔设置;并且,所述近红外光敏二极管与所述像素单元,交互间隔设置。可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,每一所述近红外光敏二极管位于一所述近红外有机发光二极管像素之下,或者,所述近红外光敏二极管与所述近红外有机发光二极管像素同层设置。
本申请实施例提供的上述显示面板,由于将每一所述近红外光敏二极管设置在一所述近红外有机发光二极管像素之下,使得手机屏幕在受外力触压时,所述近红外有机发光二极管像素和所述近红外光敏二极管有相似的曲率半径,即两者弯曲程度一样,从而提升了光线识别的准确度。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,所述近红外有机发光二极管像素包括:第一电极、位于所述第一电极之上的近红外发光层以及位于所述近红外发光层之上的第二电极。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,所述像素单元包括多个子像素,每一子像素包括:第三电极、位于所述第三电极之上的像素发光层以及位于所述像素发光层之上的第二电极。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,所述像素单元和所述近红外有机发光二极管像素共用所述第二电极。
可选地,本申请实施例提供的上述显示面板,所述近红外光敏二极管包括:第四电极、位于所述第四电极之上的近红外光敏层以及位于所述近红外光敏层之上的第五电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的