[实用新型]一种玻璃掩膜板及玻璃曝光显影装置有效
申请号: | 201721183091.2 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN207408736U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 黄红伍;逯正旺;赵学军 | 申请(专利权)人: | 凯茂科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 王琴;蒋慧 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公明街道合*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃掩膜 本实用新型 固定部 曝光显影装置 曝光显影 玻璃 待加工产品 端部连接 分体成型 片材结构 一体成型 有效减少 支承设备 掩膜板 光刻 夹持 支承 摩擦 加工 配合 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种玻璃掩膜板及玻璃曝光显影装置。本实用新型的玻璃掩膜板,其用于与其他设备配合以便于待加工的产品进行曝光显影,所述的玻璃掩膜板包括本体和固定部,所述本体和固定部为一体成型或分体成型,所述本体为片材结构,所述固定部与本体的端部连接,所述固定部用于被支承设备支承或夹持,所述本体形状尺寸大于或等于待加工产品需要进行曝光显影区域的形状尺寸。本实用新型还提供一种玻璃曝光显影装置,其采用了如上所述的玻璃掩膜板。本实用新型的玻璃掩膜板能有效减少对掩膜板光刻部分的摩擦、碰撞的问题。
【技术领域】
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种玻璃掩膜板及玻璃曝光显影装置。
【背景技术】
在电子产品的玻璃盖板、触摸盖板等的制作过程中,由于其边部位置需要通过曝光显影工艺形成图案,因此掩膜板是不可或缺的工件,现有掩膜板的形状尺寸与待加工产品如玻璃盖板的尺寸大小完全一致。在待加工产品加工的过程中,经常需要拿取掩膜板这就不可避免地对掩膜板产生摩擦、碰撞,因此会对掩膜板造成一定程度的损伤至少对掩膜板的端部会产生一定的影响。
因此,我们需要提出新的技术方案解决在拿取过程中对掩膜板光刻部分的摩擦、碰撞的问题!
【实用新型内容】
为克服现有技术中在拿取过程中对掩膜板光刻部分摩擦、碰撞的问题,本实用新型提供一种玻璃掩膜板,并提供了一种配备有此玻璃掩膜板的玻璃曝光显影装置。
本实用新型提供一种玻璃掩膜板,其用于与其他设备配合以便于待加工的产品进行曝光显影,所述的玻璃掩膜板包括本体和固定部,所述本体和固定部为一体成型或分体成型,所述本体为片材结构,所述固定部与本体的端部连接,所述固定部用于被支承设备支承或夹持,所述本体形状尺寸大于或等于待加工产品需要进行曝光显影区域的形状尺寸。
优选地,所述本体为平面结构或曲面结构,所述固定部的宽度为2-4.5mm。
优选地,所述待加工产品为电子产品玻璃盖板,所述本体的形状尺寸与待加工产品一致。
优选地,所述玻璃掩膜板还包括延伸部,所述延伸部由本体的端部呈一定弧度延伸形成,所述延伸部的一端与本体的端部连接,另一端与固定部靠近本体的一端连接。
本实用新型还提供一种玻璃曝光显影装置,所述玻璃曝光显影装置包括承载台和如上所述的玻璃掩板,所述承载台和玻璃掩膜板为可拆卸式连接,所述承载台用来支撑或夹持固定部以实现对玻璃掩膜板的支撑和固定。
优选地,所述承载台上凸设有用于放置待加工产品的定位台,所述定位台的尺寸小于或等于本体的尺寸,所述承载台上设置有至少三个定位柱,所述定位柱设置在定位台周围的不同方位上,所述玻璃掩膜板通过所述至少三个定位柱固定在定位台上方。
优选地,所述承载台上开设有至少三个通槽,所述通槽设置在定位台周围的不同方位上,所述定位柱设置在所述通槽内且定位柱在通槽内可沿靠近定位台和远离定位台的方向移动以支撑或夹持不同尺寸的玻璃掩膜板。
优选地,所述承载台包括一底座、立柱及盖板,所述立柱设置在底座和盖板之间,所述定位台设置在盖板远离立柱的表面,所述通槽设置在盖板上,所述底座内设置有移动机构,所述定位柱一端与移动机构连接,另一端穿过通槽后外露与盖板上方,所述移动机构控制所述定位柱在通槽内移动。
优选地,所述定位柱靠近定位台的一侧开设有缺口,所述缺口的开口方向与所处通槽的开设方向一致,所述掩膜板被承载台支撑或夹持时,所述固定部位于缺口处。
优选地,在所述定位柱靠近缺口的底面处设置有定位块,该定位块的上表面与缺口的底面齐平,所述定位块固定在定位柱上,所述玻璃掩膜板被承载台支撑或夹持时,所述固定部搭在定位块上。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备