[实用新型]一种用于晶圆单片研磨的装置

说明书

技术领域：

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种用于晶圆单片研磨的装置。

背景技术:

在晶圆加工领域，常见的加工流程如下：切片----磨边----研磨----腐蚀---抛光----清洗----包装。在晶圆加工领域，研磨作为一种常见的工序，广泛用于各种晶圆材料的加工，现在大部分的研磨加工工序为机器加工，而不同的晶圆材料，其对机器的需求不同，对一些特殊产品，其对机器要求精度，所需的设备采购成本较大，加工效果不太理想，并且在一些特殊产品或者特殊工艺上无法使用机器，所以单片研磨是研磨工艺中一个有效的补充。

实用新型内容:

本实用新型提供一种用于晶圆单片研磨的装置，该装置可以进行小批量研磨或者特殊产品进行修复，所需要的场地限制较小，可以简单方便的进行单片研磨，使用广泛。

本实用新型解决其问题可通过如下技术方案:用于晶圆单片研磨的装置包括压砣，所述的压砣为扁状的圆柱体，压砣上、下表面分别为平面，压砣侧面中部沿周向上开有至少一个防滑槽，压砣上、下平面上分别设置有可吸水的绒面。

上述方案中的绒面的材质为阻尼布，压砣的材质为玻璃、石英、陶瓷或者金属。压砣(1)的高度为其直径的20％～80％。

上述方案中的压砣上、下面为平面，平整度等级不低于1级，且平面上粘有可吸水的绒布或者等同材质。

本实用新型与上述背景技术相比较具有如下有益效果:1、本申请的单片研磨装置，其为扁平的圆柱体，手工研磨时可以很方便的实现自转和公转，保证晶圆质量；2、本申请的单片研磨装置，其上、下面平面等级不低于1级，切平面与晶圆不接触，可以长时间保持平面的平面等级；3、本申请的单片研磨装置，其所需要的设备投入少，所需要的场地限制少；4、本申请的单片研磨装置，其在使用的过程中，不会出现机器研磨出现的设备异常波动，成品率高于机器研磨；5、本申请的单片研磨装置，可以加工特殊晶圆，并对机器无法加工异常晶圆进行特殊修复。

附图说明:

附图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式:

下面结合附图将对本实用新型作进一步说明:

如附图1所示,用于晶圆单片研磨的装置包括压砣1，压砣的材质为玻璃、石英、陶瓷或者金属。所述的压砣1为扁状的圆柱体，压砣1的高度为其直径的20％～80％，这个尺寸可以保证晶片可承受的压力，如果太薄压力太小，TTV无法保证，加工效率低，如果太厚，晶片无法承受。压砣1上、下表面分别为平面，整体平面的等级不低于1级。压砣1侧面中部沿周向上开有至少一个防滑槽2，防滑槽2沿着压砣1一周，防滑槽的数量可以为多个，防滑槽2便于操作者手工操作。压砣1上、下平面上分别粘有可吸水的绒面3，绒面3要求吸水性好。绒面3的材质为阻尼布。

将本申请用于4寸晶圆单片的研磨，实验使用的压砣直径108mm，高度50mm，并且在侧面中间开一个高度和深度均为10mm的防滑槽，首先平放压砣，先用水润湿阻尼布，把晶圆放上去，依靠水的表面张力吸附晶圆，拿住压砣的下部，把带有4寸晶圆的压砣放在平整的平面上，平面的材质可以是玻璃、石英、陶瓷或者金属等，手扶压砣依照公转加自传的方式进行研磨，研磨TTV控制在5微米以内，符合常规晶圆加工要求。

压砣可以进行单片研磨，适合所有晶圆产品。